第八章功率器件06.pptVIP

第七章功率器件;一、引言;二、二极管;常见的功率二极管;p－i－n 二极管;肖特基整流二极管;肖特基整流二极管;结－势垒－控制型肖特基二极管 JBS;三、晶闸管;反向阻挡三端可控整流器（硅可控整流器、晶闸管）;器件中的杂质分布情况;工作原理;工作原理 正向区;工作原理 正向区;雪崩区：A接正，K接负，但所加偏压增大（V－J2结 的雪崩击穿电压VB）。;雪崩区;负阻区：A接正，K接负，外加电压大于转折电压。;导通区：A接正，K接负，负阻情况积累到一定程度后，出现p2区相当于n1区为正，J2结倒向，三个结均处于正偏。出现类似于二极管正向大I－V特性。器件转为导通。;导通;导通态;开关特性;临界关电压上升率;栅关断（GTO）硅可控整流管;栅关断（GTO）硅可控整流管;栅关断（GTO）硅可控整流管;四、功率MOSFET;功率MOSFET的结构;;;VDMOSFET 的输出特性;饱和区 恒电流区;开态电阻 Ron;截止区;UMOSFET;极限参数;击穿电压;安全工作区;绝缘栅双极晶体管 IGBT;IGBT的基本结构;IGBT的等效电路和符号;IGBT的工作原理;反向阻断模式： VCE0 (集电极加相当于发射极为负的偏压） J1结反偏，该结构中只能流过很小的pn结反向电流。耗尽层将扩展到轻掺杂的n偏移区，可以承受大的偏压。;正向工作VCE0 (集电极加相当于发射极为正的偏压）;J1;IGBT的特性;寄生晶闸管的闩锁效应;IGBT的安全工作区 SOA;SiC功率器件;SiC功率器件;晶闸管;思考题：;一、概述;电力半导体器件的分类;器件;器件;高压器件的基本应用;表面成型技术;表面成型技术;半导体表面理论简介;表面态理论;表面催化;正、负斜角及其电场分布;特点： 最大电场强度随斜角减小而单调下降 表面最大电场强度始终低于体内最大电场强度 最大电场强度的位置随斜角减小而远离pn结。;负斜角;特点： 最大电场随负角度增大而直线上升，并可能超过体内电场。 最大电场强度位置在高浓度侧，并逐步移向pn结，角度在－10o到－50o之间。 在极小负斜角的情况下，重掺杂区内的最大电场位于扩散结内，因而在一定条件下，可能不在表面击穿。;电力器件的表面成型;晶闸管的双正角和组合斜角造型;场环结构;结的终端延伸技术;热学设计;热学???计;通常用热阻描述器件传导热量的情况