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模拟电子基础第二章2、1 半导体的基本知识 2、1、1 半导体材料 2、1、2 半导体的共价键结构 2、1、3 本征半导体 2、1、4 杂质半导体 2、1、1 半导体材料 一、物体的导电特性 依照物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。半导体:介于导体与绝缘体之间,如:典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。二、半导体的特点1、光敏性和热敏性: 2、掺杂性:GeSi2、1、3 本征半导体一、本征半导体的结构特点现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层电子(价电子)都是四个。通过一定的工艺过程,能够将半导体制成晶体。硅和锗的晶体结构：本征半导体:完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中,原子按四角形系统组成晶体点阵,每个原子都处在正四面体的中心,而四个其它原子位于四面体的顶点,每个原子与其相临的原子之间形成共价键,共用一对价电子。+4+4+4+4硅和锗的共价键结构共价键共用电子对+4表示除去价电子后的原子+4+4+4+4形成共价键后,每个原子的最外层电子是八个,构成稳定结构。共价键有特别强的结合力,使原子规则排列,形成晶体。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中,称为束缚电子,常温下束缚电子特别难脱离共价键成为自由电子,因此本征半导体中的自由电子特别少,因此本征半导体的导电能力特别弱。二、本征半导体的导电机理1、载流子、自由电子和空穴在绝对0度(T=0K)和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着,本征半导体中没有能够运动的带电粒子(即载流子),它的导电能力为 0,相当于绝缘体。在常温下,由于热激发,使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚,成为自由电子,同时共价键上留下一个空位,称为空穴。+4+4+4+4空穴自由电子束缚电子+4+4+4+42、本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子,即自由电子和空穴。在其它力的作用下,空穴吸引附近的电子来填补,如此的结果相当于空穴的迁移,而空穴的迁移相当于正电荷的移动,因此能够认为空穴是载流子。 2、1、3 本征半导体本征半导体——化学成分纯净的半导体。它在物理结构上呈单晶体形态。空穴——共价键中的空位。电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次填充空穴来实现的。空穴的移动本征半导体中电流由两部分组成: 1、 自由电子移动产生的电流。 2、 空穴移动产生的电流。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高,载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强,温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素,这是半导体的一大特点。 2、1、4 杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质,可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。 N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。 P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。 1、 N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键,而多余的一个价电子因无共价键束缚而特别容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是少数载流子, 由热激发形成。 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子,因此五价杂质原子也称为施主杂质。 2、 P型半导体 因三价杂质原子在与硅原子形成共价键时,缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。 在P型半导体中空穴是多数载流子,它主要由掺杂形成;自由电子是少数载流子, 由热激发形成。 空穴特别容易俘获电子,使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 本节中的有关概念 本征半导体、杂质半导体 施主杂质、受主杂质 N型半导体、P型半导体 自由电子、空穴 多数载流子、少数载流子2、2 PN 结的形成及特性 2、2、1 PN结的形成 2、2、2 PN结的单向导电性 2、2、3 PN结的反向击穿 2、2、1 PN结的形成图2、2、1 PN结的形成PN结的形成内电场阻碍多子向对方的扩散即阻碍扩散运动同时促进少子向对方漂移即促进了漂移运动P区扩散运动N区载流子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动形成的电流成为扩散电流内电场3扩散运动=漂移运动时达到动态平衡 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ?空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移PN结的伏安特性 2、2、2 PN结的单向导电性