使用隔离式半桥驱动器的H电桥驱动电路(CN0196整理.pdfVIP

使用隔离式半桥驱动器的 H 电桥驱动电路 (CN0196) 电路功能与优势 本电路是一个由高功率开关 MOSFET组成的 H 电桥， MOSFET受低压逻辑 信号控制， 。该电路为逻辑信号和高功率电桥提供了一个方便的接口。 H 电桥的高端和低端均 使用低成本 N 沟道功率 MOSFET。该电路还在控制侧与电源侧之间提供电流隔离。 本电路可以 用于电机控制、 带嵌入式控制接口的电源转换、 照明、音频放大器和不间断电源 (UPS)等应用 中。 现代微处理器和微控制器一般为低功耗型，采用低电源电压工作。 2.5 V CMOS逻 辑输出的源电流和吸电流在 mu;A 到 mA范围。为了驱动一个 12 V 切换、 4 A 峰值电流的 H 电桥，必须精心选择接口和电平转换器件，特别是要求低抖动时。 ADG787是一款低压 CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷 (SPDT)开关。采用 5 V 直流电源时，有效的高电平 输入逻辑电压可以低至 2 V。因此， ADG787能够提供驱动半桥驱动器 ADuM7234所需的 2.5 V 控制信号到 5 V 逻辑电平的转换。 ADuM7234是一款隔离式半桥栅极驱动器，采用 ADI 公司 iCouplerreg; 技术，提供独立且隔离的高端和低端输出，因而可以专门在 H 电桥中使 用 N 沟道 MOSFET。使用 N 沟道 MOSFET有多种好处： N 沟道 MOSFET的导通电阻通常仅为 P 沟 道 MOSFET的 1/3 ，最大电流更高；切换速度更快，功耗得以降低；上升时间与下降时间是对 称的。 ADuM7234的 4 A 峰值驱动电流确保功率 MOSFET可以高速接通和断开，使得 H 电桥级的功耗最小。 本电路中， H 电桥的最大驱动电流可以高达 85 A，它受最大容许的 MOSFET 电流限制。 ADuC7061 是一款低功耗、基于 ARM7的精密模拟微控制器，集成脉宽调制 (PWM)控制器， 其输出经过适当的电平转换和调理后， 可以用来驱动 H 电桥。 使用隔离 式半桥驱动器的 H 电桥驱动电路 (CN0196) 图 1. 使用 ADuM7234隔离式半桥驱动器的 H 电桥（原理示意图：未显示去耦和所有连接） 电路描述 2.5 V PWM 控制信号电平转换为 5 V EVAL-ADuC7061MKZ提供 2.5 V 逻辑 电平 PWM信号，但 ADuM7234在 5 V 电源下的最小逻辑高电平输入阈值为 3.5 V。由于存在这 种不兼容性，因此使用 ADG787开关作为中间电平转换器。 ADG787的最小输入逻辑高电平控 制电压为 2 V，与 ADuC7061的 2.5 V 逻辑兼容。 ADG787的输出在 0 V 与 5 V 之间切换，足以 驱动 3.5 V 阈值的 ADuM7234输入端。评估板提供两个跳线，便于配置控制 PWM信号的极性。 H 电桥简介 图 1 所示的 H 电桥具有 4 个开关元件 （Q1、Q2、Q3、Q4）。这些开关成对导通， 左上侧 (Q1) 和右下侧 (Q4) 为一对，左下侧 (Q3) 和右上侧 (Q2) 为一对。注意，电桥同一侧的开 关绝不会同时导通。开关可以利用 MOSFET或 IGBT （绝缘栅极双极性晶体管）实现，使用脉 宽调制 (PWM)信号或控制器的其它控制信号接通和断开开关，从而改变负载电压的极性。 低端