4.外光电效应向量式结构力学.pdfVIP

第六章 光电探测技术基础 光电探测技术 主要内容 • 光电探测及其发展历程 • 光电探测器性能参数 • 光电探测方式 • 光电探测的物理效应 • 典型光电探测器 光电探测的物理效应 光电效应 三大类 光热效应 波相互作用效应 光电探测的物理效应——1.光电效应 • 入射光子与物质中的电子相互作用并引起原 子或分子的内部状态改变的效应 • 包括:内光电效应、外光电效应 • 内外光电效应区别： 内光电效应 外光电效应 发生部位 材料内部 材料表面 性质 电子状态改变 电子发射 截止波长 = 中E 半导体禁带宽度 表面逸出功 外光电效应——光电发射效应 • 定义： 金属或半导体受光照时，入射光子能量足够大， 就和物质当中的电子发生相互作用，使电子从 材料表面逸出的现象。 • 光电发射体: 能够产生光电发射效应的物体. 光电管中的光阴极 • 材料：金属/半导体 入射光子能量足够大电子从材料表面逸出 • 是真空光电器件中光电阴极的物理基础 外光电效应——光电发射效应 遵从的两个基本定律1 (1)光电效应第一定律——斯托列托夫定律： 入射到光电阴极上的光频率或频谱成分不变时， 饱和光电流（即单位时间 内发射的光电子数目） 与入射光强度成正比： = 外光电效应——光电发射效应 遵从的两个基本定律2 (2)光电发射第二定律——爱因斯坦定律 发射体内电子吸收的光子能量大于发射体表面逸出功 时，以一定速度从发射体表面发射，离开发射体表面 时初动能随入射光频率线性增长，与入射光强度无关: = − E ：金属逸出功， E 光电子初动能 k 外光电效应——光电发射效应 遵从的两个基本定律2 (2)光电发射第二定律——爱因斯坦定律 = − 可见： 时，无论光强多大、照射时间多长， c 都不会有光电子发射 • 光发射条件：入射光子必须具有足够能量 （至少等于逸出功） . • 截止波长 = = () () 外光电效应——光电发射效应 光电发射过程： (1)光射入物体后，物体中的电子吸收光子能 量，从基态跃迁到激发态； (2)受激电子从受激处向表面运动，并同其它 电子或晶格发生碰撞而损失能量 (3)到达表面的电子克服表面势垒对其的束缚， 逸出形成光电子。 外光电效应——光电发射效应 过程： 光电发射对阴极材料的要求：