4.阴极射线管发光机理.pdfVIP

第七章 光电显示技术 光电显示技术 主要内容 • 光电显示技术基础 • 阴极射线显示 • 液晶显示 • 等离子体显示 • 场致发光显示 阴极射线显示 发光机理： • 复合发光 复合发光可直接由带间的电子和空穴的复合而 产生，也可通过发光中心复合而产生。 • 分立发光 能量吸收和辐射均发生在晶体单分子中的激活 剂附近，即发光中心上。 阴极射线显示CRT——1.复合发光 特点：发光过程在整个晶体内完成 • 能量吸收在基质中进行， • 能量辐射在激活剂上产生 由于全过程中晶体内伴随有电子和空穴的漂移或扩散， 常常产生特征光电导现象，因而又称光电导型发光。 阴极射线显示CRT——1.复合发光  价带和导带： 典型阴极射线显示发光物质为晶态发光体 晶体基质提供  基态(局部能级G)： 掺的激活剂离子产生的缺陷  电子陷阱能级T： 协同激活剂产生的局部能级 晶态发光体能带结构示意图 阴极射线显示CRT——1.复合发光 • 微观过程1：吸收激发能电离过程 晶体吸收外界激发能，引起基质价带电子和激 活剂G能级上的电子(远少于基质电子)激发、 电离而到达导带，从而在价带中引入空穴，导 带中引入电子。 阴极射线显示CRT——1.复合发光 • 微观过程2：电子和空穴的中介运动过程 电离产生的电子和空穴分别在导带和价带中扩散 • 空穴扩散到价带顶附近后被激活剂离子G能级俘获 • 电子扩散到导带底附近时，可能情况： a过程：不经过亚稳态，直接落入激活剂离子G能级相 应的激发态A b过程：被浅层亚稳态陷阱能级T俘获，后借助热运动 回到导带，继而失去部分能量落入激发态A c过程：被深层陷阱能级T俘获，后在外界能量激发下 回到导带，继而失去部分能量落入激发态A 阴极射线显示CRT——1.复合发光 • 微观过程3：电子空穴对复合发光过程 激活剂离子A能级上的电子与G能级上的空穴复 合并向外辐射光子。 a过程: 电子在导带中停留时间0.1ns，称短时复合发光； b 、c过程: 电子由于存在即亚稳态俘获过程，复合发光滞 后于电子受激发跃迁，存在余辉时间，称长时复合发光。 阴极射线显示CRT——1.复合发光 典型代表: 硫化物型发光体 基质ZnS: 提供导带(由Zn2+构成)和价带(由S2-构成) 激活剂(如：Cu,Ag,Au): 提供基态能级G ， 协同激活剂(如：Cl,Ar,I 等): 提供陷阱能级T。 阴极射线显示CRT——2.分立发光 过程及工作原理： • 高能 （≥ １keV）粒子打到固体上， • 小部分(约10%)被反向散射， • 剩余部分穿透到固体中失去能量: ① 处于基态1上A处的电子吸收外界高能 量子而跃迁到激发态2上A’处 ② 电子在A’处不稳定，经由状态B’下降 特点: 能量吸收和辐射均发 到激发态能量最低点G’ 生在晶体单分子中的激活剂 ③ 电子从激发态G’跃迁到基态G点，发 附近，即发光中心上 生发光现象。 ——短时