信息显示技术：第三章 等离子体显示技术.pptVIP

3.总装工艺 （1）前、后基板封接 将前后基本准确对位，在较高的温度下利用低熔点玻璃将前、后基板以及充排气用的排气管封接在一起。 （2）排气、充气工艺 一般封接、排气和充气在一台设备上完成。首先，在400℃以上的温度下封接，然后温度降到300℃时开始保温并排气，数小时后，开始降温，当降至室温时，充入按一定比例混合好的气体，最后封离排气管。 （3）老练 在显示电极间加维持电压，直到AC-PDP的着火电压和熄灭电压稳定。 （4）测试 完成老练过程后进行电、光特性测试，然后再经过电子构装及测试即完成等离子屏的制作。 （5）模块组装 显示屏和驱动电路板之间通过柔性印刷电路（FPC）来连接。由于显示板和FPC连接处的引线连接处的引线间距一般只有0.25~0.2mm，一般采用各向异性导电膜进行连接。 对于彩色AC-PDP来讲，在显示图像时，每个单元的状态只有点亮或者不点亮两种，而且每次放电都在瞬间完成。彩色AC-PDP中可以利用调节维持脉冲个数的方法来实现多级灰度显示。 采用寻址期与维持期分离的驱动方式简称为ADS技术。 （六）彩色AC-PDP的驱动技术 1.ADS驱动技术 2.ALIS驱动技术 ALIS技术实际上还是ADS，不同之处在于采用了隔行扫描。 ALIS方式的优点： （1）发光面积增大了50%； （2）容易实现高清晰化； （3）驱动IC少，可大大降低成本。 * 荧光粉发光过程 荧光粉是一种粉末状结晶的物质，它是由基质和激活剂组成。 真空紫外光激发荧光粉的发光过程如右图所示。当荧光粉的基质吸收了真空紫外光能量后，基质电子可以从原子的价带跃迁到导带。空穴被发光中心俘获。电子放出能量与空穴复合而发出一定波长的光。 （五）PDP制造工艺 1.前基板的关键制造工艺 （1）基板玻璃 基板玻璃是AC-PDP各个部件的载体，因此要求其表面平整、热加工变形小。 一般采用浮法工艺制作的平板钠钙玻璃。价格便宜，与已开发出的彩色AC-PDP所用的其他材料相匹配。缺点为应变点低，热稳定性差。 近年来，开发了几种专门用于AC-PDP的具有高应变点的玻璃基板。但价格昂贵。 （2）透明电极的制作 为了减少对荧光粉发出的光的阻挡，显示电极一般采用复合式电极结构，即显示电极由较宽的透明电极和较细的金属电极构成。 透明电极要求透明度高，与基本附着力强。主要有ITO薄膜和SnO2薄膜。 采用真空蒸发或磁控溅射的方法制备出薄膜。再采用光刻工艺实现电极条的制备。 （3）汇流电极的制作 富士通公司采用Cr-Cu-Cr薄膜材料制作汇流电极。底层Cr用来增加电极的附着力，顶层Cr用来防止Cu氧化，Cu是电极导电的主体。采用蚀刻工艺实现电极条制备。 也可以采用厚膜技术制作汇流电极：（1）采用丝网印刷直接制作出电极；（2）采用厚膜光刻技术。 （4）黑矩阵制作 为了提高亮场对比度，在前基板与列电极之间制作一系列黑条覆盖非发光区域。 黑矩阵的制作方法通常有两种： （1）直接图案印刷法印刷黑色浆料； （2）印刷感光性浆料后再刻蚀成所需的图案。 （5）透明介质层的制作 介质层的制作一般采用丝网印刷法。前基板介质层对膜层的透明度、膜厚的一致性以及表面平整度要求较高，而且在介质膜层中不能有气泡、真空和欠点等缺陷。这些缺陷将导致介质膜的耐电压击穿强度下降。 通常由两层或多层组成。 要求透明度达到85%以上，表面平整度要小于2μm，不可有气泡产生及具有较高的耐电压性等性质。 介质保护薄膜一般为MgO薄膜，通常的制备方法是在富氧气氛中利用电子束蒸发的方法制备。制备出的MgO薄膜的结构呈现出明显的111结晶面择优取向，能够降低AC-PDP的着火电压。 （6）介质保护膜的制作 要求：二次电子发射系数高；表面电阻率及体电阻率高；耐离子轰击；与介质层的膨胀系数相近；放电延迟小。 2.后基板的关键制造工艺 （1）基板玻璃、寻址电极和白介质层 基板玻璃与前基板的选择类似； 寻址电极的制作一般采用印刷法或厚膜光刻技术制作； 白 介质层的制作采用丝网印刷法制作。主要目的是为了提高对可见光的反射，以增加亮度。 （2）障壁的制作 障壁高度一般在100~200um，主要制作技术有： 丝网印刷法 使用两种浆料，障壁主体是白色，有较高的反射率；端面是黑色，以提高亮度；采用多次重复印刷（8~10）来达到障壁高度