浙江省2004年7月高等教育自学考试线性电子电路试题历年试卷.docxVIP

?( ?( ) D. 击穿区 浙江省 2004 年 7 月高等教育自学考试 线性电子电路试题 课程代码： 02340 一、填空题 (每小题 1 分，共 10 分) 1.半导体是依靠 __________和空穴两种载流子导电的。 2.PN 结中的反向击穿现象按物理机制可分为 __________和齐纳击穿两大类。 3.当晶体三极管工作在发射结加 __________、集电结加反偏的模式时，它呈现的主要特性是正向 受控作用。 4.若测得晶体管的三个电极电位分别是 -5V， -4.7V， -2V ，则该管类型是 __________ 。 5.场效应管的饱和区又称放大区，它是沟道 6.MOS 管分为 __________种类型。 __________后所对应的工作区。 7.三种基本组态晶体管放大电路中，共集组态具有输入电阻高、输出电阻 _________ 的特点。 8.在直接耦合多级放大器中存在着需要解决的两个问题：一是级间电平的配合；二是克服 _________ 的有害影响。 9.放大电路中，要稳定输出电压，应引入 __________ 负反馈。 10.反馈放大器是一个由基本放大器和 __________构成的闭合环路。 二、单项