电力电子技术考试重点.doc

(完好版)电力电子技术考试要点 (完好版)电力电子技术考试要点 PAGE / NUMPAGES (完好版)电力电子技术考试要点 保持晶闸管导通的条件是什么？如何才能使晶闸管由导通变成关断？ 答： (1) 保持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即保持电流（ I H）。 要使晶闸管由导通变成关断，可利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到靠近于零的某一数值以下，即降到保持电流以下，即可使导通的晶闸管关断。 4. 图 2-27 中暗影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 I m，试计算各波 形的电流均匀值 I d1、 Id2、I d3与电流有效值 I1、 I2、 I3。 增补： 1）说明 IGBT 、 GTR、 GTO 和电力 MOSFET 各自的优弊端。 器 件 IGBT GTR GTO 电力 MOSFET  优 点 开关速度高，开关消耗小，拥有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动、驱动电路简单、驱动功率小 耐压高，电流大，开关速度略高于 GTO，通流能力强，饱和压降低 电压、电流容量大，合用于大功率场合，拥有电导调制效应，其通流能力很强 开关速度快、工作频次高，热稳固性好，输入阻抗高、电压驱动、所需驱动功率小且驱动电路简单，不存在二次击穿问题  缺 点 开关速度低于电力 MOSFET, 电压，电流容量不及 GTO 开关速度低，所需驱动功率大，电流驱动、驱动电路复杂，存在二次击穿问题 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，电流驱动、驱动功率大，驱动电路复杂，开关频次低 电流容量小，耐压低，一般只合用于功率不超出 10kW 的电力电子装置 2）晶闸管的保持电流和擎住电流的观点与差别。 保持电流 （ I H ）——使晶闸管保持导通所必要的最小电流。 一般为几十到几百毫安， 并与结温成反比。 擎住电流（ I L ——晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后， 能保持导通所需的最小电流。对同 一晶闸管来说，往常 I L 约为 I H的 2~4倍。 二者差别：描绘的晶闸管的工作状态不一样，对同一管子来说二者大小不一样。 交 -直-交变频电路和交 -交变频电路各有哪些优弊端？（ 6 分） 1）交 -直-交变频电路两次变流，效率较低；交 -交变频一次变流，效率较高。 2 分 2）交-直-交变频电路输出频次不受输入电源频次的限制， 范围宽；交- 交变频输出频次较 低，一般最高为输入电源频次的 1 3 ~ 1 2 。 2 分 3）交-直-交变频电路输入侧功率因数可实现控制，可达到 1；交 -交变频谐波不行控，输入功率因数相对较低一些。 （交 -直 -交变频电路输入侧若采纳二极管整流时，输入功率因数较高，若采纳 PWM 整流时，功率因数可达到 1，而交 -交变频采纳因为采纳晶闸管变 流，输入功率因数较相对低一些。 ） 2 分 4）当采纳 SPWM调试时，交 -直 -交变频器输出电压谐波含量小，主要在 2倍载波邻近， 而交 -交变频器输出电压谐波含量较大，最低次谐波为 6 fi f 0 。 2分