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模电简答题 一、简答题： 1、P/N 型材料的掺杂特点？多数载流子和少数载流子分别是什么？受什么因 素影响？ （P 型在硅晶体内掺入少量三价元素杂质，空穴为多子，自由电子为少子 N 型在硅晶体内掺入少量五价元素杂质，自由电子为多子，空穴为少子 都受到掺入杂质的浓度影响。） 2、PN 结扩散运动和漂移运动？ （扩散运动：基于载流子的浓度差异和随机热运动，载流子会从高浓度区 域向低浓度区域运动的现象叫扩散。 漂移：由于电场作用而导致载流子的运动称为漂移。） 3、PN 结内电场的方向？ （从带正电的 N 区指向带负电的 P 区） 4、二极管根据材料分，可分为哪两种？各 自正向导通电压是多少？ （硅材料二极管，正向导通电压 0.7V 锗材料二极管，正向导通电压 0.2V ） 5、二极管的特性？二极管的正偏和反偏？ （单向导向性：正向导通，反向截止。 正偏：外加电压的正端接半导体 P 区，负端接 N 区。 反偏：外加电压的正端接半导体 N 区，负端接 P 区。） 6、三极管在结构上包含有哪三个区？有哪 种放大组态？ （基区、发射区、集电区 共射极、共基极、共集电极） 7、三极管有 种工作状态，在每种工作状态下，三极管的两个 PN 结处于什 么状态？ （截至区：集电结反偏、发射结不正偏 饱和区：集电结不反偏、发射结正偏 放大区：集电结反偏、发射结正偏） 8、 三极管的饱和失真和截止失真的波形特点？ （P176 ） （饱和失真：如果静态工作点 Q 过高，V 、I 过大，则 BJT 会在交流 BEQ BQ 信号 v 正半周的峰值附近的部分时间内进入饱和区，引起 i 、v 及 v be C CE ce 的波形失真。 截止失真：如果静态工作点 Q 过低，V 、I 过小，则 BJT 会在交流 BEQ BQ 信号 v 负半周的峰值附近的部分时间内进入截止区，引起 i 、i 、v 及 be B C CE v 的波形失真。） ce 9、集成运算放大器由 部分组成?作用？ （输入级由差分式放大电路组成，利用它的电路对称性可提高整个电路的 性能 中间电压放大级的主要作用是提高电压增益， 输出级的电压增益为 1，但能为负载提供一定的功率） 10、 理想运算放大器的特点？ （AV 趋近无穷大/ Ri 趋近无穷大/ Ro 趋近零） 11、 理想运算放大器工作在线性区时的两个特点？ （虚短 V —V p N 虚断 i =i =0） + — 12、 同相输入端和反相输入端的定义？ （输入信号与输出信号符号相同为同相输入端，反之为反向输入端） 13、 零点漂移的产生原因？什 样的结构能够有效减小零点漂移？ （P275 ） （环境温度变化、电源电压不稳导致半导体器件参数的变化最终导致放大 电路静态工作点产生偏移。 差分式放大电路） 14、 共模和差模信号的定义和物理意义？ （P274 ） （差模信号是指差分式放大电路两输入端大小相同，极性相反的一对信号。 共模信号是作用在差分放大器两输入端的相同信号。） 15、 共模抑制比的定义和物理意义？ （定义：放大电路差模信号的电压增益 A 与共模信号的电压增益 A 之 vd vc 比的绝对值。 物理意义：综合反映差分式放大电路放大差模信号的能力和抑