半导体制造工艺过程培训课件(powerpoint 33页).pptVIP

* * 半导体制造工艺过程 2010-7-29 第一页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 目录 1、概述 2、晶体生长与圆晶制造 3、硅的氧化 4、光刻与刻蚀 5、扩散与离子注入 6、薄膜沉积 第二页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 概述 工艺集成 晶体生长与圆晶制造 热氧化 光刻与刻蚀 扩散与离子注入 薄膜沉积 测试与封装 第三页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 晶体生长与圆晶制造 1、直拉法单晶生长 多晶硅放在坩埚中，加热到 1420℃将硅熔化，将已知晶向 的籽晶插入熔化硅中然后拔出。 硅锭旋转速度 20r/min 坩埚旋转速度 10r/min 提升速度：1.4mm/min 掺杂P、B、Sb、As 第四页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 晶体生长与圆晶制造 第五页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 晶体生长与圆晶制造 2、区熔法晶体生长 主要用于制备高纯度硅或无氧硅 生长方法 多晶硅锭放置在一个单晶籽晶上，多晶硅锭由一个外部的射频线圈加热，使得硅锭局部熔化，随着线圈和熔融区的上移，单晶籽晶上就会往上生长单晶。 电阻率高 无杂质沾污 机械强度小，尺寸小 第六页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 晶体生长与圆晶制造 第七页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 晶体生长与圆晶制造 第八页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 热氧化 SiO2的基本特性 杂质阻挡特性好 硅和SiO2的腐蚀选择特性好 第九页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 热氧化 反应方程： Si(固体)+O2(气体)?SiO2 Si(固体)+2H2O (气体)?SiO2 +H2(气体) 第十页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 热氧化 硅热氧化工艺，可分为：干氧氧化、水汽氧化和湿氧氧化。干氧氧化是以干燥纯净的氧气作为氧化气氛，在高温下氧直接与硅反应生成二氧化硅。水汽氧化是以高纯水蒸汽为氧化气氛，由硅片表面的硅原子和水分子反应生成二氧化硅。水汽氧化的氧化速率比干氧氧化的为大。而湿氧氧化实质上是干氧氧化和水汽氧化的混合，氧化速率介于二者之间。 第十一页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 光刻是一种复印图象和化学腐蚀相结合的综合性技术。它先采用照相复印的方法，将事先制好的光刻版上的图形精确地、重复地印在涂有感光胶的SiO2层(或Al层)上，然后利用光刻胶的选择性保护作用，对SiO2层(或A1层)进行选择性化学腐蚀，从而在Si02层(或Al层上)刻出与光刻版相应的图形。 光刻技术常见的技术方案有紫外光刻、电子束光刻、纳米压印光刻等，以广为业界的人们所熟悉。近年来，在人们为纳米级光刻技术探索出路的同时，也出现了许多新的技术应用于光刻工艺中，主要有干涉光刻技术、激光聚焦中性原子束光刻、立体光刻技术、全息光刻技术和扫描电化学光刻技术等等。 第十二页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 光刻工艺步骤如下：首先图层被转移到光刻胶层。 第十三页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 其次，把图形从光刻胶转移到晶圆上。 第十四页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 光刻胶有正胶和负胶之分 第十五页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 第十六页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分 材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形。 刻蚀最简单最常用分类是：湿法刻蚀和干法刻蚀。 第十七页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 湿法刻蚀是一个纯粹的化学反应过程，是指利用溶液与预刻蚀材料之间的化学反应来去除为被掩蔽膜材料掩蔽的部分而达到刻蚀目的。 湿法刻蚀在半导体工艺中有着广泛应用：磨片、抛光、清洗、腐蚀 优点是选择性好、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低 缺点是：钻刻严重、对图形的控制性较差，不能用于小的特征尺寸；会产生大量的化学废液 第十八页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 光刻与刻蚀 干法刻蚀：利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法）。 干法刻蚀种类很多，如光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。 其优点是：各向异性好，选择比高，可控性、灵活性、重复性好，细线条操作安全，易实现自动化，无化学废液，处理过程未引入污染，洁净度高。 缺点是：成本高，设备复杂。干法刻蚀主要形式有纯化学过程（如屏蔽式，下游式，桶式），纯物理过程（如离子铣），物理化学过程，常用的有反应离子刻蚀RIE，离子束辅助自由基刻蚀ICP。 第十九页，编辑于星期五：二十二点 五十八分。 扩散与离子注入 所谓扩散指在高温下，杂质在浓度梯度的驱使下渗透进半导体材料，并形成一定的杂质分布，从而改变导