加热制程工艺概论(powerpoint 227页).ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 退火和掺杂物扩散 高温掺杂物原子的扩散 高温炉由于热容量较大使得升温速率较低 (~10 °C/min) 高温炉退火制程需要花费较常的时间，掺杂物扩散无法减低 晶圆两端的退火情形不均匀 第二百一十三页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 退火速率和扩散速率 温度 退火速率 扩散速率 第二百一十四页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 退火后掺杂物扩散 高温炉 退火 快速加热退火 匣极 第二百一十五页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * RTP比高温炉的优势 升温速率较快(75 到 150 °C/sec) 温度较高 (可到 1200 °C) 制程较快 掺杂物扩散最小化 较佳的热积存控制能力 较佳的晶圆对晶圆的均匀性 第二百一十六页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * RTP制程温度的改变 时间 温度 升温 降温 退火 装载晶圆 卸除晶圆 N2 流动 第二百一十七页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 热氮化反应 氮化钛物理气相沉积(PVD) 用氨气进行热氮化 NH3 + Ti? TiN + 3/2 H2 第二百一十八页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 氮化钛制程 二氧化硅 二氧化硅 钛 钛 氮化钛 第二百一十九页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 快速加热氧化制程 超薄的匣极氧化层 30? 较佳的晶圆对晶圆的均匀性 较佳的热积存控制能力 第二百二十页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * RTP /RTO制程示意图 时间 升温1及升温2 降温 RTA 装载晶圆 卸除晶圆 RTO O2 流量 N2流量 HCl流量 温度 第二百二十一页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 未来的趋势 快速加热制程 (RTP) 临场制程监测 群集工具 高温炉制程将继续使用在非关键性的加热制程 第二百二十二页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * RTCVD反应室 加热灯管 晶圆 石英窗 反应物 反应物及副产品 IR高温计 晶圆冷却反应室壁 灯座 第二百二十三页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * RTP温度和高温炉 温度 时间 高温炉 RTP 室温. 第二百二十四页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 群集工具示意图 转换室 RTCVDa-Si反应室 装载站 HF蒸气蚀刻反应室 RTO/RTP 反应室 冷却反应室 卸除站 第二百二十五页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 快速加热制程的概要 快速 较佳的制程控制 热预算 晶圆对晶圆的均匀性 掺杂物扩散最小化 群集工具, 容易将制程整合 第二百二十六页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 加热制程概要 氧化, 扩散,退火, 和沉积 湿氧化成长速率较高，干氧化氧化层薄膜的质量较好，先进的工厂主要采用干氧化 IC工业的掺杂制程中，利用二氧化硅做为扩散遮蔽层 LPCVD多晶硅和前段的氮化硅沉积 退火处理使晶圆恢复单晶结构和活化掺杂物 RTP:较佳的热控制能力，快速又能减少掺杂物的扩散 高温爐:高产量和低成本，未来IC生产工产会继续使用进行较不重要的加热制程 第二百二十七页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * 多晶硅掺杂 N-型掺杂 加热 (750?C) AsH3 ? As + 3/2 H2 三氢化砷 砷 氢 加热 (750?C) PH3 ? P + 3/2 H2 三氢化磷 磷 氢 第一百八十一页，编辑于星期五：二十二点 三十五分。 * 多晶硅掺杂 P-型掺杂 加热 (750?C) B2H6 ? 2 B +