《光纤通信》第4章复习思考题参考答案.pdfVIP

原荣编著 《光纤通信（第3 版）》 第4 章复习思考题 参考答案 4-1 简述半导体发光基理 答：在构成半导体晶体的原子内部，存在着不同的能带。如果占据高能带（导带） Ec 的 E E E -E 电子跃迁到低能带（价带） 上，就将其间的能量差（禁带能量） 二 以光的形式 v g c v 放出，如图421 所示。这时发出的光，其波长基本上由能带差 AE 所决定。能带差 和发 ： , E Vo ： E hv 4 h 6.625 10~ Js =c v 出光的振荡频率 之间有. 二 的关系， 是普朗克常数，等于 。由’ 得出 hc 1.239 8 走一 AE (4.2.1) c E eV )。 式中， 为光速, 取决于半导体材料的本征值，单位是电子伏特（ 阻= pm 半母体导帶申胸业子M阶带屮的空冗迺过口境轴対和堂澈发时可凰尬新殳合并发时兀子 图4.2.1 半导体发光原理 4-2 简述激光器和光探测器的本质区别 答：发光过程，除自发辐射外，还有受能量等于能级差 • £二E -E =hv 的光所激发而 c v 发出与之同频率、同相位的光（激光） ，即受激发射，如图 4.2.2 b （ ）所示。 吸临光子后 产生电子 光子 （输出电 E 光的受 淹〉 塩光管——光的口境辎射