IGBT的工作原理和工作特性.pdfVIP

IGBT 的工作原理和工作特性 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP晶体管提供基极电流，使 IGBT 导 通。反之，加反向门极电压消除沟道， 流过反向基极电流， 使 IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当 MOSFET的沟道形成 后，从 P+基极注入到 N一层的空穴（少子），对 N 一层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。 IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： 1 ．静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时， 漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。 输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与 GTR的输出特性相似．也可分为饱和区 1、放大区 2 和击穿特性 3 部分。在 截止状态下的 IGBT ，正向电压由 J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。如果无 N+缓冲区，则正反 向阻断电压可以做到同样水平，加入 N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限 制了 IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的关系曲线。它与 MOSFET的转 移特性相同，当栅源电压小于开启电压 Ugs(th) 时， IGBT 处于关断状态。在 IGBT 导通后的大部 分漏极电流范围内， Id 与 Ugs 呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般 取为 15V 左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。 IGBT 处于导通态时，由 于它的 PNP晶体管为宽基区晶体管， 所以其 B值极低。尽管等效电路为达林顿结构， 但流过 MOSFET 的电流成为 IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压 Uds(on) 可用下式表示 : Uds(on) ＝Uj1 ＋Udr ＋IdRoh （2 － 14 ） 式中 Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为 0.7 ～ IV ； Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降； Roh——沟道电阻。 通态电流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 － 15 ） 式中 Imos——流过 MOSFET的电流。 由于 N+区存在电导调制效应，所以 IGBT 的通态压降小，耐压 1000V 的 IGBT 通态压降为 2～ 3V。 IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 2 ．动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为 MOSFET来运行的，只是在漏源电压 Uds 下降过程后期， PNP晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。 td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升 时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间 ton 即为 td(on)tri 之和。 漏源电压的下降时间由 tfe1 和 tfe2 组成，如图 2 －58 所示 IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为 MOSFET 关断后， PNP 晶体管的存储 电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间， td(off) 为关断延迟时间， trv 为电压 Uds(f) 的上升时间。 实际应用中常常