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PN 结电容电压特性及掺杂浓度的测量 一、实验目的 1. 掌握 CV-2000 型电容电压特性测试仪的使用方法； 2. 熟悉 C-V 特性的测量。 二、实验仪器 CV-2000 型电容电压特性测试仪是测试频率为 1MHz 的智能化数字的电容测试仪器， 专用于测试半导体器件 PN 结的势垒电容在不同偏压下的电容量，也可测试其它电容。面板 上的发光二极管指示仪器的工作状态， 用数码管组成的显示板， 将被测元件的数值， 小数点 清晰地显示出来。仪器有较高的分辨率，电容量是四位读数，可分辫到 0.01pF ，偏置电压分 辨力为 0.1V ，漏电流分辨力为 0.01uA 。 该仪器采用电流电压测量方法， 它用微处理器通过 8 次电压测量来计算每次测量后要求 的参数值。 用一个相敏检波器和模数转换器顺序快速完成电压测量。 正交测量通过交换测量 信号的相位来进行， 而不是参考相位检测。 因而不需要精密的模拟相位转换成电压矩形波电 路。通过从同一个高频信号源形成测试信号和参考信号， 来保证正确的相位关系。 由微处理 器根据已知的频率和测试信号相位， 用ROM 存储器内的程序来控制测量， 以及存储在 RAM 中的校准数据来计算被测元件电容值。 三、实验原理 C-V 法利用 PN 结或肖特基势垒在反向偏压时的电容特性， 可以获得材料中杂质浓度及 其分布的信息，这类测量称为 C-V 测量技术。这种测量可以提供材料截面均匀性及纵向杂 质浓度分布的信息， 因此比四探针、 三探针等具有更大的优点。 虽然扩展电阻也能测量纵向 分布，但它需将样品进行磨角，而 C-V 法既可以测量同型低阻衬底上外延材料的分布，也 可测量高阻衬底用异型层的外延材料的分布。 PN结电容为势垒电容与扩散电容之和 , 正向偏压时 , 由于正向电流较大 , 扩散电容大于势 垒电容 . 反偏时 , 流过 PN结的是很小的反向饱和电流， 扩散电容很小， 这时势垒电容起主要作 用。所以， C－V测量加反向电压。 1. 对于突变结 势垒电容 ，N* ＝ 为约化浓度， A 为结区面积 2 即对突变结来说， 1/C 与V 呈线性关系。如图： 直线延长与 V 轴的交点，可求出接触电势差 V D，由直线斜率可求出 N* 。当 PN结为单边突变 结时，约化浓度可用高浓度一侧的掺杂代替。 2.缓变结 势垒电容： ，G为掺杂浓度梯度。 3 即对线性缓变结来说， 1/C 与V 呈线性关系。 由直线斜率和截距可求出杂质浓度梯度 G和V D 。 四、实验内容与步骤 1. 测量步骤： （1）开机 仪器安装连接好后，把电源开关按到 ON 位置，电源接通，仪器执行自检程序。如果没 有故障，测量指示灯亮。偏置电压指示状态为 ( 电压去 ) ，虽然偏置电压有显示，但该电压尚 未加到夹具上去。 （2 ）连接被测件 被测件引线应相当清洁且笔直，将它插入 CV-2000 测试座具即可。若被测件引线脏， 必须先擦干净，以保证接触良好。 （3 ）零校准 由于温度变化或改变夹具，都会引起寄生电感变化，因此，在每天开机 30 分钟后，改 变夹具或温度变化大于 3℃时，都要完成零校准。分两步完成： I 、开路零校准。 a