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附件3 “集成电路关键技术研发与产业化” 重大主题专项申报指南 集成电路是国之重器，事关国家安全和国民经济命脉，是国家战略性、基础性和先导性产业，也是我市大数据智能化发展的基础产业。为提升我市集成电路产业技术创新能力和水平，不断培育经济发展新动能，推动经济实现高质量发展，贯彻落实我市以大数据智能化为引领的创新驱动发展战略，根据我市集成电路产业创新发展的实际需求和科研基础条件，现启动实施“集成电路关键技术研发与产业化”重大主题专项，布局一批重点项目，以产业需求为引领，企业牵头，产学研合作，突破一批集成电路“卡脖子”技术难题，研发一批具有国内领先水平的集成电路创新技术和产品，支撑和引领我市集成电路产业创新发展。 1. 大尺寸功率器件晶圆工艺支撑技术研发与产业化 研究内容：面向功率器件大尺寸晶圆生产工艺的应用需求，提供晶圆的激光背面修复晶格工艺技术，开展优化薄片大尺寸晶圆支撑系统的研究，减少深层晶圆激光背面修复的晶格缺陷、改善薄片大尺寸晶圆传输的破片率，突破大尺寸功率器件晶圆工艺支撑技术并实现产业化。 考核指标：可用于12英寸晶圆生产线；激光晶格修复束斑尺寸3.5 mm × 30 μm (主光源波长515 nm) 及3.5 mm × 100 μm (辅助光源波长808 nm)。薄片静电卡盘传片效率达200片/h；工作温度不低于400℃；吸附时间小于10 s；项目执行期内实现销售不少于3000万元。 实施年限：不超过3年 支持方式：企业牵头申报，拟支持不超过1项，财政经费资助500万元。 2. 智能终端用高效率同步整流电路研发与产业化 研究内容：面向手机、笔记本电脑、智能穿戴设备、电视机顶盒等智能终端的快速充电电源适配器市场，开展智能终端用高效率同步整流电路设计技术研究，集成同步整流控制电路和功率MOS，突破自供电技术和自驱动功率MOS等关键技术，形成系列化的同步整流电路产品并实现产业化。 考核指标：工作电压范围15V~120V；功率MOS开启延迟≤80ns；功率MOS关闭延迟≤50ns；功率MOS最小开启时间≥800ns；反向漏电流≤400μA；项目执行期内实现销售收入不少于2000万元。 实施年限：不超过3年 支持方式：企业牵头申报，拟支持不超过1项，财政经费资助200万元。 3. 智能终端用USB Type-C芯片研发与产业化 研究内容：面向智能终端USB Type-C接口应用，开展符合USB接口协议的串行互联芯片设计技术研究，突破自适应信道均衡算法、连续时间均衡器的低噪声电路结构、全数字式并行化时钟数字恢复、高阶判决反馈均衡架构等关键技术，开发符合Type-C接口标准的芯片产品并实现产业化。 考核指标：采用65nm及以下先进CMOS工艺；采用USB3.1协议标准，符合Type-C接口规范；支持单电源5V供电；片内集成可编程eFuse存储器，ID信息可配置；项目执行期实现销售收入不少于1500万元。 实施年限：不超过3年 支持方式：企业牵头申报，拟支持不超过1项，财政经费资助200万元。 4. 基站用Sub-6GHz高性能频率合成器芯片研发与产业化 研究内容：面向5G通信sub-6GHz频段移动通信基站市场，开展低噪声、宽频带单片高性能小数分频频率合成器研究，突破低底板相位噪声设计、宽带低噪声反馈分频器设计及低相噪VCO设计等关键技术，形成满足通信基站sub-6GHz应用的单片频率合成器产品并实现产业化。 考核指标：输出频率范围25MHz-6GHz；参考输入频率范围10MHz~300MHz；参考输入功率范围-5dBm～5dBm；底板相位噪声≤-227dBc/Hz；最高鉴相频率100MHz；总电流≤250mA；项目执行期实现销售收入不少于2000万元。 实施年限：不超过3年 支持方式：企业牵头申报，拟支持不超过1项，财政经费资助200万元。 5. 新一代功率半导体器件研发与产业化 研究内容：面向新能源汽车、轨道交通、5G通信、智能制造等应用领域，基于SiC、GaN等第三代半导体材料，开展功率电子器件、高频功率器件等设计和制造技术研究，突破SiC功率器件所需离子注入与掺杂工艺，低栅漏电流、低接触电阻GaN基器件设计与制备等关键技术，研制出基于第三代半导体的大功率器件系列产品并实现产业化。 考核指标：SiC功率电子器件：SBD反向击穿电压600V-3300V，工作电流6A-50A，正向电压1.4-2.0V；MOS反向击穿电压600V-1200V，导通电阻小于80mΩ，工作电流10A-30A。SiC衬底GaN高频功率器件：漏电流小于80μA/mm；二维电子气迁移率大于1800cm2/V·s；器件工作频率1.6GHz，功率大于150?W，效率大于60%；宽带器件工作频率1.3~2.2GHz，功率大于150?W，效率大于50%。Si衬底Ga