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微机原理与接口技术 第五章 课后答案 微机原理与接口技术 第五章 课后答案 PAGEPAGE3 微机原理与接口技术 第五章 课后答案 第五章 参考答案 1.简述SRAM芯片与DRAM芯片的共同点与不同点。 答：SRAM与DRAM的共同点：都属于随机存取存储器，具有易失性。 SRAM与DRAM的共同点：SRAM利用双稳态触发器电路保存信息，集成度比DRAM低，功耗比DRAM大；DRAM利用MOS管栅极和源极之间的极间电容C保存信息，需要刷新电路保证信息较长时间保存。 2.叙述ROM芯片的常见分类，各种ROM芯片的特点及其适用场合。 答：ROM的常用分类结果： 掩膜ROM：生产完成的芯片已保存了信息，保存的信息无法修改，适用于大批量的定型产品中。 PROM：PROM可以一次写入信息，一旦写入无法更改，适用于小批量的定型产品中。 EPROM：紫外线擦除可多次编程的存储器，适用于新产品的开发。 EEPROM：电擦除可多次编程的存储器，适用于需要在线修改的场合。 3.利用4片6116（2K×8位）芯片设计连续存储器，采用全地址译码。设起始地址为60000H，求存储器的最后一个单元地址。 答：存储器的最后一个单元地址为：61FFFH. 4．用6264 RAM（8K×8位）芯片构成256K字节存储器系统，需要多少片6264芯片？20位地址总线中有多少位参与片内寻址有多少位可用作片选控制信号 答：需要32片6264芯片。 20位地址总线中有13位参与片内寻址；有7位可用作片选控制信号。 5.某微机系统中ROM区有首地址为9000H，末地址为FFFFH，求其ROM区域的存储容量。 答：其ROM区域的存储容量为28K。 8088系统 BUS D0~D7 MEMW MEMR A0~A12 A19 A18 8088系统 BUS D0~D7 MEMW MEMR A0~A12 A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 R/W D0~D7 6264 1# OE A0~A12 R/W D0~D7 6264 2# OE A0~A12 G1 G2A G2B 74LS138 C B A + Y4 Y5 CS CS A0~A12 D0~D7 R/W D0~D7 6264 3# OE A0~A12 R/W D0~D7 6264 4# OE A0~A12 CS CS Y6 Y7 解： 7．选用2764、6264存储器芯片，为8086 CPU最小方式系统设计16K字节的ROM和256K字节的RAM，利用74LS138译码器画出译码电路和存储器芯片的连接图。 解： 8086 8086系统 BUS D0~D7 MEMW MEMR A0~A12 A15 A14 A13 D0~D7 2764 1# OE A0~A12 D0~D7 2764 2# OE A0~A12 CS CS A0~A12 D0~D7 R/W D0~D7 6264 1# OE A0~A12 R/W D0~D7 6264 32# OE A0~A12 CS CS G1 G2A G2B 74LS138 C B A Y7 Y6 … G1 G2A G2B 74LS138 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 G1 G2A G2B 74LS138 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 G1 G2A G2B 74LS138 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 G1 G2A G2B 74LS138 C B A Y0 Y1 Y2 Y3 A19 … … … … … A18 A17 A16 8．有一个2764EPROM芯片的译码电路如图所示，请写出该芯片的地址范围。 A A11 A12 A14 A13 A B C G1 G2B A15 A19 ┇ G2B Y0 Y4 Y5 CS 27