微电子学概论ch集成电路制造工艺cmos工艺.pptxVIP

会计学;栅电极： 重掺杂的多晶硅 ;;;N型(100)衬底的原始硅片;;;;N型(100)衬底的原始硅片; 隔离工艺 MOS晶体管结构: 自隔离性 相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏 ;MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启 增大场氧化层厚度 提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值 ;; 场氧光刻掩膜版;; LOCOS隔离; NMOS、PMOS结构;;;;;;;;;阈值调整注入;;;;;;;;NMOS结构 PMOS结构;;;;;;NMOS结构 PMOS结构; 形成钝化层 在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅(PECVD) 光刻钝化版 刻蚀氮化硅，形成钝化图形，刻出压焊点 测试、封装，完成集成电路的制造工艺 ;第41页/共44页;;1、试简述N阱CMOS晶体管的工艺流程。 2、画出CMOS反相器的截面图;感谢您的观看！