南京航空航天大学电工电子考研复习题(整理).docxVIP

第十四章半导体器件 3007在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻 率（A ）。 ⑻很高（b）很低（c）等于N型或P型半导体的电阻率 11023型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为（C ）。 （a） 1V （b） 0.2 V （c） 0.6 V 15039电路如图1所示，已知U = 6V, u =18sintV，波形如图2，二极管正向导通时的压降 可忽略不计， 则二极管两端电压uD的波形为图3中（ ）。 ⑻稳定电压UZ = 6 V的管子 （b） 稳定电压UZ 6 V的管子 （c） 稳定电压U 6 V的管子 23064稳压管的动态电阻rZ是指 （B ）。 ⑻稳定电压 与相应电流IZ之比 （b） 稳压管端电压变化量 UZ与相应电流变化量IZ的比值 （c） 稳压管正向压降与相应正向电流的比值 24065动态电阻rZ是表示稳压管的一个重要参数，它的大小对稳压性能的影 响是 （B ）。 ⑻rZ小则稳压性能差 （b） rZ小则稳压性能好（c） rZ的大小不影响稳压性能 34084晶体管的主要特点是具有（B ）。 ⑻单向导电性（b）电流放大作用 （c）稳压作用 35086如果改变晶体管基极电压的极性， 使发射结由正偏导通改为反偏， 则集电极电流 （B ）。 ⑻反向 （b）近似等于零（c）不变 （d）增大 36088晶体管处于截止状态时，集电结和发射结的