第二章静电场.pptxVIP

会计学;;电场线方程;（a)单个点电荷产生的电场强度;;求得;例2 有面密度为 的无限大均匀带电平面，求周围空间的电场。;2.2 电位与等位面 ; 由于电场强度的方向为电位梯度的负方向，而梯度方向总是垂直于等位面，因此，电场线与等位面一定处处保持垂直。若规定相邻的等位面之间的电位差保持恒定，那么等位面密集处表明电位变化较快，因而场强较强。这样，等位面分布的疏密程度也可表示电场强度的强弱。;1. 电位参考点; 标量函数? 称为电位。真空中静电场在某点的电场强度等于该点电位梯度的负值。;例3 计算电偶极子的电场强度。 ;式中l 的方向规定由负电荷指向正电荷。通常定义乘积 q l 为电偶极子的电矩，以 p 表示，即; 上述结果表明，电偶极子的电位与距离平方成反比，电场强度的大小与距离的三次方成反比。而且两者均与方位角? 有关。这些特点与点电荷显著不同。下图绘出了电偶极子的电场线和等位线的分布。 ;2.3 真空中静电场方程 ; ;例3 设半径为a，电荷体密度为? 的无限长圆柱带电体位于真空，计算该带电圆柱体内外的电场强度。 ; 因电场强度方向处处与圆柱侧面S1的外法线方向一致，而与上下端面的外法线方向垂直，因此上式左端的面积分为; 上式中?a2? 可以认为是单位长度内的电量。那么，柱外电场可以看作为位于圆柱轴上线密度为 =?a2? 的线电荷产生的电场。由此我们推出线密度为 的无限长线电荷的电场强度为;2.静电场的无旋性;（1）高斯定律中的电量 q 应理解为封闭面 S 所包围的全部正负电荷的总和。 ;例4 计算点电荷的电场强度。 ; 也可通过电位计算点电荷产生的电场强度。当点电荷位于坐标原点时点电荷的电位为;; 实际上，介质极化现象是逐渐形成的。当外加电场Ea 加到介质中以后，介质中出现的电偶极子产生二次电场Es，这种二次电场 Es 又影响外加电场，从而导致介质极化发生改变，使二次电场又发生变化。一直到合成电场产生的极化能够建立一个稳态的二次电场，极化状态达到动态平衡，其过程如下图所示。 ; 介质极化以后，介质中出现很多排列方向大致相同的电偶极子。为了衡量这种极化程度，我们定义，单位体积中电矩的矢量和称为极化强度，以P 表示，即 ; 空间各点极化率相同的介质称为均匀介质，否则，称为非均匀介质。;　介质被极化后，分子可视作一个电偶极子。 设分子的电偶极矩p =ql。取如图所示体积元，其高度 等于分子极矩长度。;在介质表面上，束缚电荷面密度为 ;极化电荷不能自由运动，也称为束缚电荷； 由电荷守恒定律，极化电荷总量为零； P=常矢量时称媒质被均匀极化，此时介质内部无极化电荷，极化电荷只会出现在介质表面上； 均匀介质内部一般不存在极化电荷； 位于媒质内的自由电荷所在位置一定有极化电荷出现。; 3.介质中的静电场方程 ; 介质中微分形式的高斯定律表明，某点电位移的散度等于该点自由电荷的体密度。 ; 实际中经常使用介电常数的相对值，这种相对值称为相对介电常数，以 ?r 表示，其定义为;平板电容器中有一块介质,画出D 、E 和 P 线分布。; 对于均匀介质，由于介电常数与坐标无关，因此获得; 为了讨论边界上某点电场强度的切向分量的变化规律，围绕该点且紧贴边界作一个有向矩形闭合曲线，其长度为?l，高度为?h，则电场强度沿该矩形曲线的环量为 ; 为了求出边界上某点的场量关系，必须令 ?l 足够短，以致于在?l内可以认为场量是均匀的，则上述环量为 ;;求得;4. 介质与导体的边界条件 ; 既然导体中的电场强度为零，导体表面的外侧不可能存在电场强度的切向分量。换言之，电场强度必须垂直于导体的表面，即;; 例 已知半径为r1 的导体球携带的正电量为q，该导体球被内半径为 r2 的导体球壳所包围，球与球壳之间填充介质，其介电常数为?1 ，球壳的外半径为 r3 ，球壳的外表面敷有一层介质，该层介质的外半径为r4 ，介电常数为?2 ，外部区域为真空，如左下图示。; 在 r r1及 r2r r3 区域中，因导体中不可能存静电场，所以E = 0。 ; 根据 及 ，可以求得各个表面上的自由电荷及束缚电荷面密度分别为;2.5 泊松方程;①电位的微分方程的适应范围是在各向同性、线性、均匀介质中，不含介质分界面。对于不同的介质区域，应分别建立有不同介电系数的电位微分方程。 ②电位的微分方程包含了静电场的两个基本程 、 以及介质的构成方程 ，求解电位的微分方程，再