电子技术基础半导体二极管及其基本电路.pptxVIP

会计学;关于教材;要求;第一章 半导体二极管及其基本电路;本章作业;第一节 半导体的基本知识;自然界物质按导电能力分类：;常用的半导体材料有：;半导体材料硅（Si ）锗（ Ge）的原子结构与共价键;本征半导体、空穴、及其导电作用;+4;二、半导体导电的两个方面;三、空穴;半导体中的载流子;四、本征半导体的特性;杂质半导体; （一） N型半导体; （二）P型半导体;;第二节 PN结;杂质半导体虽然比本征半导体中的载流子数目要多得多，导电能力增强，但是也并不能象导体那样被用来传导电能，而是用来形成PN结;一、PN结的形成过程;;;P区;1. 交界面出现自由电子、空穴的浓度差别;3. 内电场的出现使少数载流子向对方漂移;扩散运动;二、PN结的单向导电性;（一） PN结加正向电压时的导电情况;（二） PN结加反向电压时的导电情况;由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;PN结具有单向导电性线性电阻具有双向导电性;三、PN结的伏安特性曲线;其中 Is ? 饱和电流; UT = kT/q ?等效电压 k ? 波尔兹曼常数； T=300k（室温）时 UT= 26mv;第35页/共100页;四、PN结的反向击穿;反向击穿;五、PN结的电容效应（非线性电容）;第三节 半导体二极管;一、半导体二极管的结构;点接触型： 结面积小，结电容小 故结允许的电流小 最高工作频率高;规定二极管的端电压uD的参考方向和二极管的电流iD的参考方向 ;参考方向的选取共有四种可能，本教材中选择其中的一种。;第44页/共100页;线性电阻参考方向的选取只有两种可能：关联、非关联。;;死区电压Uth 硅二极管的死区电压一般为0.5V，锗二极管的死区电压一般为0.1V。 硅二极管正向导通电压约为0.7V，锗二极管正向导通电压约为0.2V。 反向击穿电压UBR 。 ;三、温度对二极管的伏安特性的影响;四、二极管的电阻;;五、二极管的主要参数;国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：;第三节 半导体二极管的模型及应用;一、二极管的模型;（1）直流理想模型 （2）直流恒压降模型 （3）直流折线模型 （4）直流指数模型;正偏时导通，管压降为0V，电流决定于外电路 反偏时截止，电流为0，两端电压决定于外电路 ;（2） 直流恒压降模型;（3）直流折线模型;（4） 直流指数模型;（二）交流小信号模型（小信号模型）;（一）用二极管直流模型来分析电路 （二）用二极管交流模型来分析电路;（一）用二极管直流模型来分析电路; 解:;（硅二极管典型值）;（硅二极管典型值）;二极管使用直流理想模型理想模型;（硅二极管典型值）;（硅二极管典型值）;VDD=10V 时;(一)用二极管直流模型来分析电路;解：（1）当 =0V、4V、6V时，求输出电压值;2）当 =4V时，求输出电压值;3）当 =6V时，求输出电压值;（2）当 时输出电压的波形 ;理想二极管导通，理想导线代替;例3 有两个二极管的开关电路;解题思路;UO= 5V ;(二)用二极管交流模型来分析电路;第80页/共100页;;第五节 特殊二极管;一、稳压二极管;稳压原理：在反向击穿时，电流在很大范围内变化时，只引起很小的电压变化。; (1) 稳定电压UZ ：在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 (2) 动态电阻rZ ：rZ =?U Z /?I Z ，rZ 愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作电流Izmin ：保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜Izmin 则不能稳压。 (4) 最大稳定工作电流Izmax ：电流超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏。;;稳压管的计算;解：答案中详细的步骤;最大稳定工作电流;限流电阻的取值;;解：;;解：;光电二极管是有光照射时会产生电流的二极管。;LED显示器;半导体二极管图片;半导体二极管图片;半导体二极管图片