电子技术基础第二第三章.pptxVIP

会计学;本征半导体;半导体 — ; (1）本征半导体的共价键结构; （2）电子空穴对;杂质半导体; 提供自由电子的五价杂质原子因带正电荷而成为正离子，因此五价杂质原子也称为施主杂质。;(2) P型半导体;漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。;2.2 PN结;一、 PN结的形成; PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区， PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;三、PN结的击穿特性;雪崩击穿：当反向电压足够高时（U6V）PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子加速，与中性原子相碰，使之价电子受激发产生新的电子空穴对，又被加速，而形成连锁反应，使载流子剧增，反向电流骤增。 齐纳击穿：对掺杂浓度高的半导体，PN结的耗尽层很薄，只要加入不大的反向电压（U4V），耗尽层可获得很大的场强，足以将价电子从共价键中拉出来，而获得更多的电子空穴对，使反向电流骤增。; ; (1) 势垒电容CB;;第20页/共205页;第21页/共205页;垫垒电容CB正比于PN结面积S，反比于耗尽区厚度 ，类似于平行板电容器 ，但势垒电容的 是 随外加电压而变的。 ①电路上势垒电容和结电阻并联； ②反偏时，结电阻很大，势垒电容小，但高频时的影响不能忽视； ③正偏时，结电阻很小，势垒电容大，其作用反而较小。;PN结正向偏置时，积累在P区的电子和N区的空穴随正向 电压的增加而很快增加，扩散电容较大，而反向偏置时， 载流子数目很少，因此反向时扩散电容很小，一般可以 忽略。;2.3 半导体二极管;半导体二极管图片;半导体二极管的结构类型;(c)平面型;半导体二极管的伏安特性曲线;二极管的伏安特性曲线;(1) 正向特性;(2) 反向特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ; 半导体二极管的参数; (4) 反向电流IR;;;（3）折线模型：修正恒压降模型，认为二极管 的管压降不是恒定的，而随二极管的电流增加而 增加，模型中用一个电池和电阻 rD来作进一步 的近似，此电池的电压选定为二极管的门坎电压 Vth，约为0.5V，rD的值为200欧。由于二极管的 分散性，Vth、rD的值不是固定的。;（4）小信号模型：如果二极管在它的V-I特性的 某一小范围内工作，例如静态工作点Q（此时有 uD=UD、iD=ID）附近工作，则可把V-I特性看成 一条直线，其斜率的倒数就是所求的小信号模型 的微变电阻rd。;半导体二极管的等效模型-模型分析法应用;半导体二极管的型号;特殊二极管;稳压二极管的伏安特性 ; (1) 稳定电压VZ ——; (3) 最大耗散功率 PZM ——;(5)稳定电压温度系数——?VZ; IR; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。;1.半导体具有什么特点?; 半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是单极型半导体三极管;双极型半导体三极管的结构 双极型半导体三极管电流的分配与控制 双极型半导体三极管的电流关系 双极型半导体三极管的特性曲线 半导体三极管的参数 半导体三极管的型号;; 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米且掺杂浓度低。;;另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式:;（1）发射区向基区注入电子 （2）电子在基区中的扩散与复合 （3）集电区收集扩散过来的电子;由以上三极管内部载流子的传输过程分析可知： （1）三极管内有两种载流子参与导电，故称为双极型晶体管。 （2）在内部条件和外部条件的共同作用下，晶体管内电流分配是一定的。;（1）三极管放大的条件;总结;总结