半导体微加工习题课all.pptxVIP

习题课;第一二章 光学光刻与非光学光刻;1，现有一台投影式光刻机，其曝光系统的数值孔径为0.6，采用的光源为波长193nm的准分子激光器，该台光刻机的曝光工艺因子k为0.7，请问该台曝光机的分辨率是多少？焦深是多少？请评价分辨率与焦深的关系。;2，请解释5种不同曝光模式的原理，区别，优缺点;密集线条会接收到来自邻近的散射电子束剂量 通过曝光剂量校正来实现统一的线宽标准 ;3-2 对于高分辨电子束光刻，场发射电子源与热阴极电子源相比的优点是什么?3-3 电子束光刻与X??线光刻中使光刻胶曝光的差别是什么？3-4 X射线光刻常用接近式曝光模式，但仍存在衍射效应，为什么不采用接触式曝光模式呢？;3-2. 对于高分辨电子束光刻，场发射电子源与热阴极电子源相比的优点是什么?;3-3. 电子束光刻与X射线光刻中使用光刻胶曝光的差别是什么？;3-4. X射线光刻常用接近式曝光模式，但仍存在衍射效应，为什么不采用接触式曝光模式呢？;第三章 等离子体基础;?;第五章 刻蚀;5, How would you make the structure below with the least expensive equipment, the highest selectivity, and the fastest process?;第七章 化学气相沉积;6，简要描述APCVD和LPCVD的优缺点 ;7，实验过程中发现薄膜的沉积速率过快，请问为了降低沉积速率，可通过控制哪些参数以实现调控，为什么？ ;8，假设你要在硅片上沉积NaCl（食盐），您可能会用到什么样的反应气体？可能会碰到什么问题？ 寻找合适的反应气体的2个关键问题： 反应物必须是气体，或者沸点较低的物质 生成物除了要沉积的材料外，其他必须是气体 ;含Na化合物;含Cl的气体Cl2, HCL。 可能的反应：;第八章 热氧化;9，计算在120分钟内，920℃水汽氧化过程中生长的二氧化硅层的厚度。假定硅片在初始状态时已有1000?的氧化层。 (其中，在920℃时，A=0.5mm,B=0.203mm2/h）;第九章 扩散/离子注入;1000?C时在掺杂浓度为10-14/cm3的 硅片中进行磷的预沉积扩散，直至达到磷在硅中的固溶度极限(1.1×1021atom/cm3)。扩散时间为20分钟。预沉积后，硅片表面被密封并在1100?C下做推进扩散。为获得4.0 mm的结深，推进扩散时间应为多少？;再由结深度公式推算推进扩散时间：;扩散率随温度的变化关系;第十一章 器件隔离 习题;第十二章 接触和金属化 习题