第七章薄膜外延生长技术.pptx

《现代薄膜技术》 第七章 薄膜外延生长技术;薄膜生长过程;影响薄膜生长的因素;薄膜种类与结构;薄膜的外延生长;7.1 基片表面结构;二维结晶学基本概念;（2）对称操作群;7.1.2 清洁表面 即不存在任何污染的化学纯表面，即不存在吸附、催化反应或者杂质扩散等一系列物理、化学效应的表面。 由于表面上电子波函数畸变，使原子处于高能状态，容易发生表面弛豫和表面重构，所以其结构偏离理想的二维点阵结构，形成新的、较复杂的二维结构。 清洁表面的结构特征就是表面原子弛豫和重排！;1.表面结构类型;2.表面原子弛豫;（1）压缩效应;（2）弛张效应;（3）起伏效应;起伏效应 ;3.表面再构模型;表面再构的模型（以金刚石结构的（111）解理面为例）;7.1.3 实际表面 实际的表面上普遍存在杂质及吸附物的污染，影响表面结构。 表面原子断键的形成以及各种表面缺陷的存在，使表面易于富集各种杂质吸附物。 吸附物可以是表面环境中的气相分子、原子及化合物，也可以是来自体内扩散出来的元素物质等。;7.1.3 实际表面 实际的表面上普遍存在杂质及吸附物的污染，影响表面结构。 表面原子断键的形成以及各种表面缺陷的存在，使表面易于富集各种杂质吸附物。 吸附物可以是表面环境中的气相分子、原子及化合物，也可以是来自体内扩散出来的元素物质等。;1.表面吸附的类型;;2. 吸附覆盖层;3. 吸附表面层结构;;4. 获得清洁表面的方法;（2）热处理方法;（5）提高背景真空度;5. 清洁表面的检测方法;7.2 外延生长概述;7.2.2 外延的分类 1、按基片与膜层材料的异同;在异质外延中，由于生长层与衬底的晶格常数失配，则生长层中就存在应力、积累有应变能，并且这种能量随着生长层厚度的增加而增大；当薄膜生长到某一定厚度时，即将在异质结界面处产生所谓失配位错，以释放出积累的应变能。而这些失配位错对于异质结的电学性能极其有害，因此，为了生长出优质的晶格失配的异质结，就必须控制生长层的厚度，以避免在界面上出现失配位错。在界面上不出现失配位错的生长层的最大厚度，是一个重要的工艺控制参量，称???临界厚度。;影响临界厚度的因素;2、按晶格畸变程度;3、按工艺反应原理;4、按反应过程的相变方式;7.2.3 薄膜外延生长三种模式;7.2.4 外延生长的特点 ;7.2.5 外延层的掺杂与缺陷;2、外延生长缺陷： （1）表面缺陷;（2）体内缺陷;（3）图形畸变和漂移;1;薄膜外延沉积技术;7.3 气相外延（VPE）;7.3.2 金属有机化合物气相外延 （metal organic vapor phase epitaxy，MOVPE） ;2、MOVPE生长系统组成;;气体处理系统：功能是向反应室输送各种反应剂, 并精确控制其浓度、送入的时间和顺序以及流过反应室的总气体流速等, 以便生长特定成分与结构的外延层. 气体处理系统由金属有机化合物(MO)供应系统、氢化物供应系统和特殊设计的“生长-排空多路阀门组”等组成. MOCVD 反应室：是源材料在衬底上进行外延生长的地方, 它对外延层厚度、组分的均匀性、异质结果而梯度、本底杂质浓度以及外延膜产量有极大的影响. 一般对反应室的要求是：(1)不要形成气体湍流, 而是层流状态；(2)基座本身不要有温度梯度；(3)尽可能减少残留效应.;尾气处理：MO源大多数是易自燃及有毒的, 许多氢化物有剧毒, 很多副产物也有毒性或易自燃的, 因此在反应室排出的尾气中含有大量有毒和危险物质(气体和粉尘). 控制系统：由于电子流量、压力、温度控制器和电磁-气动阀门的采用， MOVPE 装置的运行可通过人工控制集中安装在电控面板上的按钮来实现。控制系统中还包括安全速锁装置，以防止误操作可能产生的严重后果，并在事故发生时自动使系统进入保护状态，以减轻事故的危害，保护操作人员人身安全。 微计算机控制系统：微机控制系统在生长超晶格、量子阱和组分或掺杂梯度层时尤为重要。微机控制系统提高了生长的重现性，也有助于消除人为误动作，增加了软件安全功能和处理与分析事故的能力。先进的系统还可提供数据分析功能，统计源的消耗功能等，配以装、卸片机械手和Epiready 衬底，完全可实现MOVPE 的全自动生长。;3、MOVPE原材料;制备Ⅲ -Ⅴ族化合物时, Ⅴ族元素的化合物一般都采用砷烷(AsH3)、磷烷(PH3)，两者均系剧毒气体。MOVPE技术的主要缺点之一也正在于需用大量有毒气体。因此研究毒性较小的有机砷来代替实属必要。;4、MOVPE的应用;MOVPE生长GaN;MOVPE优点： （1）可以合成组分按任意比例组成的工人合成材料：形成厚度精确