电路和电路元件下.pptxVIP

会计学;;;;A、纯;硅和锗的共价键结构; 辐射方法 ; 几个概念;（5）漂移电流： 自由电子在电场作用下定向运动形成的电流称为漂移电流。 （6）空穴电流： 空穴在电场作用下定向运动形成的电流称为空穴电流。 因为 相对于电子电流，价电子填补空穴的运动相当于带正电荷的空穴在与价电子运动相反的方向运动，因而空穴相对来说带正电荷，故其运动形成空穴电流。 （7）复 合： 自由电子在热运动过程中和空穴相遇而释放能量，造成电子-空穴对消失，这一过程称为复合。 ;; 在半导体中存在两种载流子（运动电荷的载体）即：自由电子→→带负电 ； 空 穴→→带正电 。 在电场作用下，电子的运动将形成电子电流，而空穴的运动则形成空穴电流， 在同一电场作用下，两种载流子的运动方向相反，是因为它们所带的电荷极性也相反，所以两种电流的实??方向是相同的。 电子电流与空穴电流的总和即半导体中的电流。 ;　当本征激发和复合处于平衡时，本征载流子的浓度为;;;结论;;;思考题： 1. 电子导电与空穴导电有什么区别？空穴电流是不是自由电子递补空穴所形成的？ 2.杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是怎么产生的？为什么杂质半导体中的少数载流子比本征半导体中的浓度还小。 3.N型半导体中的自由电子多于空穴，P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，P型半导体带正电？;;;几个重要概念： ① 扩散运动 —— P型和N型半导体结合在一起时，由于交界面（接触界）两侧多子和少子的浓度有很大差别，N区的电子必然向P区运动，P区的空穴也向N区运动，这种由于浓度差而引起的运动称为扩散运动。 ② 漂移运动 —— 在扩散运动同时，PN结构内部形成电荷区，（或称阻挡层，耗尽区等），在空间电荷区在内部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移，即N区空穴向P区漂移，P区的电子向N区漂移。 ; ③ 空间电荷区 —— 在PN结的交界面附近，由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，则在P 区和N区分别出现了由不能移动的带电离子构成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽层，垫垒区。 ④ 内部电场——由空间电荷区（即PN结的交界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由N区指向P区的电场E，这一内部电场的作用是阻挡多子的扩散，加速少子的漂移。 ⑤ 耗尽层——在无外电场或外激发因素时，PN结处于动态平衡没有电流，内部电场E为恒定值，这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层。;PN结内部载流子的运动过程如下：（无外加电场作用时）; ｛扩散↑ ID=IT ｛是动态平衡 ｛ →→→→ 趋于平衡 →→｛ ｛电场↑ ｛ 扩散电流 ID 等于漂移电流 IT 　　　 ｛ 流过空间电荷区的总电流为 0 →→→→ ｛ 　　　　　 ｛ 即：PN 结中的净电流为 0。 结论： 在无外激发因素（光照、加热、电场作用）时，PN结内部的扩散与漂移运动达到动态平衡，扩散电流 ID = 漂移电流 IT，但方向相反，故此时PN结中无电流通过，形成一定的宽度的耗尽层。 ;;;;;;;;;;;;　　晶体二极管是由PN结加上电极引线和管壳构成的，其结构示意图和电路符号分别如图1-13(a),(b)所示。符号中，接到P型区的引线称为正极(或阳极)，接到N型区的引线称为负极(或阴极)。 ;§1.4 　电子器件 ;　　普通二极管的典型伏安特性曲线如图1–14所示。实际二极管由于引线的接触电阻、P区和N区体电阻以及表面漏电流等影响，其伏安特性与PN结的伏安特性略有差异。由图可以看出，实际二极管的伏安特性有如下特点：;§1.4 　电子器件 ;下面介绍晶体二极管的主要参数及其意义：  一、直流电阻RD RD定义为：二极管两端所加直流电压UD与流过它的直流电流ID之比，即 ;二、交流电阻rD rD定义为：二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比，即; 可见rD与工作电流IDQ成反比，并与温度有关。室温条件下(T=300K): 通过对二极管交、直流电阻的分析可知，由于二极管的非线性伏安特性，所以交、直流电阻均是非线性电阻，即特性曲线上不同点处的交、直流电阻不同，同一点处交流和直流电阻也不相同。 ;;三、最大整流电流IF IF指二极管允许通过的最大正向平均电流。实际应用时，