薄膜太阳能电池pecvd.pptxVIP

1;超声波玻璃清洗机（重要设备）（镀膜前清洗） ;激光划线机1（重要设备） ;预热炉 ;PECVD真空沉积系统，即等离子体增强化学沉积(主要设备);冷却炉 ;激光划线机2（重要设备） ;磁控溅射系统（主要设备） ;激光划线机3（重要设备） ;TCO ;TCO镀膜玻璃的特性及种类 ;　ITO ;FTO ;TCO ;光伏电池对TCO镀膜玻璃的性能要求 ;光谱透过率 ;导电性能 ;雾度 ;　激光刻蚀性能 ;耐气候性与耐久性 ;非晶硅薄膜厚度均匀性对其透射光谱的影响;计算过程介绍;第22页/共45页;第23页/共45页;第24页/共45页;第25页/共45页;第26页/共45页;第27页/共45页;第28页/共45页;第29页/共45页;结 论;NIP型非晶硅薄膜太阳能电池; 在NIP 太阳能电池中,采用适当晶化的晶化硅薄膜作为P型窗口层,晶化硅薄膜高的电导可以提高NIP 结的内建电势,改善TCO 膜和P 型窗口层间的N/ P 界面隧穿特性,降低电池的串联电阻;另外,适当晶化的P 型晶化硅薄膜可以提高窗口层的光学带隙 ,得到高的开路电压和短路电流,从而得到高的光电转换效率。但是,在非晶硅(a-Si) 层表面生长P 型晶化硅薄层非常困难,即使在很高的H 稀释率下,在a-Si 层表面生长的P 型晶化硅薄层仍然极有可能是非晶结构 。如何处理好I/ P 界面,在a-Si 表面生长出合适的P 型晶化硅薄膜,是制备优质的NIP 型a-Si 电池的关键问题之一。 在NIP 型a-Si 太阳能电池的研究中,使用晶化硅薄膜作为电池窗口层,显著提高了电池的开路电压和转换效率 ;国内在该领域也取得了相当的进展 ,但由于制备工艺复杂和对设备性能的高要求,目前还没有制备出高效率NIP 电池的报导. ;　实　验;第34页/共45页;第35页/共45页;第36页/共45页;第37页/共45页;第38页/共45页;第39页/共45页;第40页/共45页;第41页/共45页;第42页/共45页;第43页/共45页;第44页/共45页