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- 2022-03-27 发布于上海
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会计学;1. 掌握与、或、与非、或非、异或、同或门的逻辑功能;
2. 掌握三态门、OD门、OC门和传输门的逻辑功能和应用;
3. 掌握CMOS、TTL逻辑门电路的输入与输出电路结构,输入端高低电平判断。
4. 掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题;
5. 了解半导体器件的开关特性以及逻辑门内部电路结构。;3.1 MOS逻辑门;;;;;;;;;;;1. 工作原理
CMOS反相器电路如图。;2. 电压传输特性和电流传输特性;2. 电压传输特性和电流传输特性;3. CMOS反相器的工作速度;A B;或非门;;;;;;L=1时,通过RP对CL充电;时间常数RPCL。
L=0时, CL通过导通管对电容放电;
RP的值愈小,负载电容的充电时间常数亦愈小,开关速度愈快;但功耗大,且可能使灌电流超过允许的最大值IOL(max)。
RP的值愈大,可保证灌电流不超过允许的最大值IOL(max)、功耗小;但负载电容的充电时间常数亦愈大,开关速度因而愈慢。
由于RP比导通管电阻大,故OD门速度较低。;;漏极开路门和三态输出门电路;;;;1. CMOS传输门;设TP:|VTP|=2V, TN:VTN=2V
vI 的变化范围为-5V到+5V。;2). 当C=1, C =0时; ;3.2 TTL逻辑门;的开关特性;基本BJT反相器的动态性能;T3、D、T4和Rc4构成推拉式输出级。用于提高开关速度和带负载能力;反相器的基本电路;;;3. TTL反相器的传输特性
①. AB段, vI 0.4V,UB11.1V
T2和T3截止,T4饱和;输出高电平;
②. BC段, 0.4V vI 1.3V,
1.1V UB12.0V
T2工作在放大区, T3仍截止, vO 随vI增大而减小;
③. CD段, 当vI 进一步增大,vO 迅速下降,
④. DE段,T2和T3饱和,T4截止;输出低电平;;;;;;;逻辑门电路结构归纳;1. 输入电路结构
(1). CMOS门电路输入结构
CMOS门电路都加了反相器作为输入缓冲电路。
CMOS门电路输入端是MOS管道栅极,栅极与沟道之间的SiO2层是绝缘的,所以输入是高阻,输入电流极小,功耗低;
由于输入阻抗高,容易受干扰,所以不允许其输入端悬空。
输入高低电平判断:
vI 使TN导通,TP截止,是高电平;
vI 使TN截止,TP导通,是低电平;;1. 输入电路结构
(2). TTL门电路输入结构
当输入低电平时,有电流流出;
当输入高电平时,T1处于倒置放大状态,
有电流流入;
输入高低电平判断:
vI使UB1足够小,则vI为低电平,
这时,T4?、T3 ?,vO ≈3.6V;
vI不能使UB1 2.1V,则vI为高电平,
这时, T4 ?、T3 ? ,vO ≈0.2V。
所以,悬空为高电平;
输入端通过电阻接地,由阻值确定高低电平。;3.5 逻辑描述中的几个问题;;;门电路的等效符号及其应用;;当 ,G2门两个输入均有效,输出有效,EN有效。;门电路的等效符号及其应用;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;3.6 门电路使用中的几个实际问题;1. 多余输入端的处理
处理原则:保证输出逻辑关系正确。
①. 与门和与非门多余输入端处理
如图,要实现 F = A·B;1. 多余输入端的处理
处理方法:
①. TTL门
输入高电平:多余端通过电阻R(约几千欧)接+VCC ,或者通过大于2 kΩ的电阻接地;
悬空相当输入高电平,但为防止引入干扰,通常不允许输入端悬空。
输入低电平:多余端通过小于500 Ω的电阻接地或直接接地。
②. CMOS门
输入高电平:多余端通过电阻或直接接+VDD;
输入低电平:多余端通过电阻接地或直接接地。
不允许其输入端悬空。;3.6 门电路使用中的几个实际问题;
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