CMOS集成电路制造工艺介绍.pptVIP

Metal 一般为AL工艺或铜工艺。 RC01S-HND 为5层金属铝铜工艺，第一层金属方块电阻为0.145欧姆，第2~第4层方块电阻为0.115欧姆，第5层方块电阻为0.035欧姆 瑞萨90nm process ---Cu 工艺 A typical 0.13um CMOS process flow RC01SHND 130nm Process 工艺流程示意图演示 instruction： P+ ：high density of P ion implant P- ：lower density of P ion implant P ： two implants,once P-, once P+ So did ：As+，As-，B+，B- …… P-Sub 1.1 Substrate: P-Si (Axis:100) 1.2 Oxide growth P-Sub SiO2 Method: 1) Dry oxidation 2) Wet oxidation Axis:100 1) Low interface trap density Nit(111)/Nit(100)~10 2) Higher surface carrier mobility μ(100)