第五讲纳米电子学.pptVIP

首先以芯片微处理器为例来讨论电子行为对微电子学技术限制。 芯片微处理器是通过逻辑“门”的开或关来工作的，而“门”的开或关的状态，取决于有无电流流过。目前，微处理器中的逻辑门正常工作时需要数百上千个电子的电流，而随着芯片集成度和时钟速度的进一步的提高，所需的电子数还会进一步增加。但是，芯片内线宽的减小却会导致单位时间内流过逻辑门的电子数大幅度减少，当电子数减至数十个数量级时，逻辑门在判断“开”或“关”时就会处于不确定状态，无法正常工作。 器件功耗过大也是微电子学技术进一步发展的一个主要限制。 当今的微电子器件（如场效应晶体管），由于本身的功耗太大，已经很难适应更大规模集成的需要。特别是随着芯片的集成度和时钟速度大幅度提高后，电子在电路中流动的速度越来越快，功耗也会成倍增大，并最终导致芯片不能正常工作。同时，功耗太大出现的芯片过热还会造成芯片的使用寿命缩短，可靠性降低等问题。所以，能够满足“更冷”要求的低能耗芯片技术的开发是芯片得以进一步发展的当务之急。由 IBM公司发展的芯片 SOI技术可以在一定程度上降低芯片的能耗。 SOI技术已经应用于英特尔公司的 Pentium4芯片和美国 AMD公司在2019年中上市的计算机芯片中。当然，采用这些新技术还是无法从根本上解决微电子器件所面临的功耗过大的困境。 具有量子效应的纳米电子器件的工作能耗极小，因为其工作电流仅为1－10个电子。与目前的超大规模集成电路中微电子器件相比，其功耗将会大幅度降低。 纳米电子器件的另一个显著优点是工作时钟频率也可以得到大幅度提高。所以，纳米电子器件的出现，给未来的计算机芯片的发展带来了令人欣喜的曙光，因为它们可以满足人类对未来芯片“更小，更快，更冷”的要求。 基于目前的发展和对未来的预测，如果将主要纳米电子器件进一步分类，纳米CMOS器件主要有：绝缘层上硅MOSFET即(SOI-MOSFET)、硅-锗异质结MOSFET、低温MOSFET、双极MOSFET、本征硅沟道隧道型MOSFET等； 量子效应器件包括：量子干涉器件、量子点器件和谐振隧道器件，而谐振隧道器件又包括：横向谐振遂道器件、谐振隧道晶体管(RTT)，谐振隧道场效应晶体管(RTEET)、双极量子谐振隧道晶体管(BiQuaRTT)、谐振隧道热电子晶体管(RHET)、纵向谐振隧道器件和隧道势垒调制晶体管等； 单电子器件主要包括：单电子箱、电容耦合和电阻耦合单电子晶体管、单电子神经网络晶体管、单电子结阵列、单电子泵浦、单电子陷阱和单电子旋转门等 单原子器件和单分子器件包括：单电子开关、单原子点接触器件、单分子开关、分子线、量子效应分子电子器件、电化学分子电子器件等。 纳米传感器将包括：量子隧道传感器和纳米生物传感器； 纳米集成电路包括纳米电子集成电路和纳米光电集成电路。 纳米存储器包括：超高容量纳米存储器、超高密度数据存储器、隧道型静态随机存储器、单电子硅基MOS存储器、单电子存储器、单电子量子存储器； 纳米CMOS 纳米CMOS混合电路包括：纳米CMOS电路和Ⅲ-V族化合物半导体共振隧道效应电路，纳米CMOS电路和单电子纳米开关电路，纳米CMOS电路和超导单磁通量子电路，纳米CMOS电路和碳纳米管电路，纳米CMOS电路和人造原子电路与人造分子电路，纳米CMOS电路和DNA电路， 纳米CMOS电路和纳米金属基自旋电路等主流电路的联姻，为纳米电子学开创了全新的发展。纳米Ⅲ-V族化合物半导体器件和电路是指振隧道二极管和谐振隧道晶体管与电路，它在高速、高频和光电子领域有强大的潜力，科学家预测，21世纪纳米电子器件、纳米光电子器件、纳米集成电路、纳米光电子集成电路是最有发展前途的 纳米场效应管 量子效应器件 在当今半导体行业中，有两大轮子推动半导体产业链不断地向前发展，一个是不断地缩小芯片的特征尺寸；另一个是不断地扩大晶圆尺寸。不断缩小芯片的特征尺寸(或半导体器件的几何尺寸，如下同)将产生尺寸效应，当芯片的特征尺寸处于微米尺度时，其中的电子在波粒二重性中主要呈粒子性，目前大多数半导体器件只利用了电子的粒子性；当芯片的特征尺寸处于纳米尺度时，尤其当特征尺 寸与电子的德布洛意波长( )或电子的平均自由程，比拟或更小时，其中的电子在波粒二重性中主要呈波动性。这种电子的波动性就是一种量子效应。所谓量子效应是电子的能量被量子化，电子的运动在某个方向上受到约束。 金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象和半导体微粒存在不连续的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道，能隙变宽的现象均称为量子效应，出现量子效应的判据是EgKB丁，其中Eg为能隙，KB丁为热起伏能。所以，人们把利用电子的某种量子效应原理制作的器件称为量子效应器件