第八章离子注入.ppt

注入损伤 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 （a）轻离子损伤情况 （b）重离子损伤情况 离子注入退火 工艺目的：消除晶格损伤，并且使注入的杂质转入替位位置从而实现电激活。 1. 高温炉退火 通常的退火温度：＞950℃，时间：30分钟左右 缺点：高温会导致杂质的再分布。 2 . 快速热退火 采用RTP，在较短的时间（10－3～10－2 秒）内完成退火。 优点：杂质浓度分布基本不发生变化 4.4 离子注入的应用 在先进的CMOS 工艺中，离子注入的应用： 1. 深埋层注入 2. 倒掺杂阱注入 3. 穿通阻挡层注入 4. 阈值电压调整注入 5. 轻掺杂漏区（LDD）注入 6. 源漏注入 7. 多晶硅栅掺杂注入 8. 沟槽电容器注入 9. 超浅结注入 10. 绝缘体上的硅（SOI）中的氧注入 闩锁效应（Latch-Up） 深埋层注入 高能（大于200KEV）离子注入，深埋层的作用：减小衬底横向寄生电阻，控制CMOS的闩锁效应 倒掺杂阱注入 高能量离子注入使阱中较深处杂质浓度较大，倒掺杂阱改进CMOS器件的抗闩锁和穿通能力。 穿通阻挡层注入 作用：防止亚微米及以下的短沟道器件源漏穿通，保证源漏耐压。 阈值电压调整注入 NMOS阈值电压公式： QBm＝q·NB·Xdm， QBm为表面耗尽层单位面积上的电荷密度 轻掺杂漏（LDD：Lightly Doped Drain ）注入 作用：减小最大电场，增强抗击穿和热载流子能力。 源漏注入 多晶硅栅掺杂注入 沟槽电容器注入 LPCVD多晶硅具有非常好的台阶覆盖共形性 超浅结注入：大束流低能注入 作用：抑制短沟道效应 绝缘体上的硅（SOI）中的氢、氧注入 SOI：IBM（2001）、AMD（ 130nm以下） SOI结构SEM照片 Smart Cut Si Si H Oxidation Hydrogen Implantation Substrate Flip and Bonding SiO2 SiO2 SiO2 Si Substrate Cut and CMP SiO2 Si SIMOX 锗注入形成锗硅源漏区 Si O Oxygen Implantation Si High Temperature Annealing SiO2 8.5 离子注入设备 离子注入机主要由以下5个部分组成 1. 离子源 2. 引出电极（吸极）和离子分析器 3. 加速管 4. 扫描系统 5. 工艺室 第八章：离子注入 掺杂技术之二 8.1 引 言 离子注入的概念： 离子注入是在高真空的复杂系统中，产生电离杂质并形成高能量的离子束，入射到硅片靶中进行掺杂的过程。 束流、束斑 高能离子轰击（氩离子为例） 1. 离子反射（能量很小） 2. 离子吸附（10eV） 3. 溅射（0.5keV~5keV） 4. 离子注入（10keV） 离子注入系统 离子注入的优点： 1. 精确地控制掺杂浓度和掺杂深度 离子注入层的深度依赖于离子能量、杂质浓度依 赖于离子剂量，可以独立地调整能量和剂量，精 确地控制掺杂层的深度和浓度，工艺自由度大。 2. 可以获得任意的杂质浓度分布 由于离子注入的浓度峰在体内，所以基于第1点 采用多次叠加注入，可以获得任意形状的杂质分 布，增大了设计的灵活性。 离子注入的优点： 3. 杂质浓度均匀性、重复性好 用扫描的方法控制杂质浓度均匀性。 4. 掺杂温度低 注入可在125℃以下的温度进行，允许使用不同 的注入阻挡层（如光刻胶）增加了工艺的灵活性。 离子注入的优点： 5. 沾污少 质量分离技术产生没有沾污的纯离子束， 减少了由于杂质源纯度低带来的沾污，另外低温工艺也减少了掺杂沾污。 6. 横向扩散小 离子注入具有高度的方向性，虽然散射会引起一定横向杂质分布，但横向尺度远小于扩散。 离子注入的缺点： 1. 高能杂质离子轰击硅原子将产生晶格损伤 使用二氧化硅注入缓冲层 高温退火修复损伤 2. 注入设备复杂昂贵 8.2 离子注入参数 注入剂量φ 注入剂量φ是样品表面单位面积注入的离子总数。单位：离子每平方厘米 其中I为束流，单位是安培 t为注入时间，单位是秒