X年春季学期微电子器件基础-第二章.pptVIP

砷化镓掺硅浓度1018 cm-3时，部分硅原子替代镓起浅施主作用，部分硅原子替代砷起浅受主作用。导带电子浓度趋于饱和，不随硅杂质浓度增加而增加，形成自补偿。 1018 1019 1020 砷化镓中硅原子浓度 导带电子浓度 1017 1018 1019 ② 自补偿 工业上，采用硅、锗、锡作为砷化镓掺杂剂获得N型砷化镓。 EV+0.10eV--(SiGa–SiAs)或(SiGa- VGa)络合物 EC-0.002eV--浅施主，SiGa EV+0.22eV--砷-空位络合物 EV+0.03eV--浅受主，SiAs ③ SiGa – SiAs络合物、SiGa- VGa 络合物、As-空位络合物 As Ga SiGa VGa Ga SiGa – SiAs络合物 Ga SiGa SiAs Ga Ga SiGa- VGa 络合物 As Ga VGa Ga Ga 砷-空位络合物 VI族原子替代V族原子，比V族原子多的一个价电子容易失去，产生施主能级。 掺碲或硒获得N型砷化镓。 p型砷化镓掺氧获得电阻率107Ωcm的半绝缘砷化镓。 E、VI族元素氧、硫、硒、碲 钒产生深施主能级（EC -0.22）eV，铬、锰、铁、钴、镍分别产生受主能级（EV+0.79）eV、（EV +0.095）eV、（EV +0.52）eV、（EV +0.16）eV、（EV +0.21）eV。 N型砷化