年产xxx套薄膜沉积设备项目立项报告模板参考.docx

泓域咨询/年产xxx套薄膜沉积设备项目立项报告  年产xxx套薄膜沉积设备项目 立项报告 xxx（集团）有限公司  报告说明 金属互联即在集成电路片上沉积金属薄膜，并通过光刻技术形成布线，把互相隔离的元件按一定要求互连成所需电路的工艺。铜互连为金属互联的一种，而在铜互连中采用ALD的主要驱动力在于随着制程进步、TSV等先进封装工艺的发展，元件集成度提高、几何构架收缩，导致深宽比的增加，ALD技术能够沉积尽可能薄的阻挡层，阻止铜和周围绝缘体之间的相互扩散，且作为粘附层促进互连铜的生长，给铜沉积留出最大的空间。 根据谨慎财务估算，项目总投资24006.57万元，其中：建设投资18251.22