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Bumping技术和工艺介绍 Bumping 制程流程 工艺流程介绍 Sputter 前的wafer 需要先清洗然后再溅射，如下是工作原理介绍 Pre-Clean 目的：去除Wafer表面有机物污染和颗粒； Pre-Clean用丙酮、异丙醇、水等三种溶剂: 丙酮是有机溶剂，能够溶解Wafer表面有机物，异丙醇能够溶解丙酮，同时又能以任何比例溶解在水中，最后通过纯水QDR，达到清洗Wafer，去除Wafer表面有机物污染和颗粒的目的。 使用超声波+有机溶剂清洗: ?超声清洗有时也被称作“无刷擦洗”，特点是速度快、质量高、易于实现自动化。它特别适用于清洗表面形状复杂的工件，如对于精密工件上的空穴、狭缝、凹槽、微孔及暗洞等处。通常的洗刷方法难以奏效，利用超声清洗则可取得理想效果。对声反射强的材料，如金属、玻璃、塑料等，其清洗效果较好；对声吸收较大的材料，如橡胶、布料等，清洗效果则较差些。? ?采用超声波清洗时，一般应用化学清洗剂和水基清洗剂作为介质。清洗介质本身利用的是化学去污作用，可以加速超声波清洗效果。 溅射原理 Sputter原理 ?在充入少量Ar的Stepper腔内。靶材是阴极，Wafer是阳极。当极间电压很小时，只有少量离子和电子存在；电流密度在10’A／era数量极，当阴极(靶材)和阳极间电压增加时，带电粒子在电场的作用下加速运动，能量增加，与电极或中性气体原子相碰撞，产生更