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第七章 半导体存储器;7.1 概述;二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型;7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构;参看书 P71~72;地 址;两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入为“1”，无器件存入则为“0” 存储器的容量：“字数 x 位数”;掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产, 简单，便宜，非易失性;7.2.2 可编程ROM（PROM）;7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）;7.3 随机存储器RAM;简化一下;二、SRAM的存储单元;7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理;7.4 存储器容量的扩展;7.4.2 字扩展方式;思考：256 x 8位→1024 x 16位 RAM？;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;二、举例;例7.5.1 试用ROM设计一个八段字符显示译码器。 见书P377;例：用16X4位的ROM设计一个将两个2位二进制数相乘的乘法器电路。;作业：7.1 7.2 7.3 7.4 7.8