RS Components 其他智能设备晶体管 SIHP10N40D-E3 使用说明.pdfVIP

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2022-05-04 发布于广东
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RS Components 其他智能设备晶体管 SIHP10N40D-E3 使用说明.pdf

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SiHP10N40D Vishay Siliconix D Series Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY • Optimal design V (V) at T max. 450 DS J - Low area specific on-resistance RDS(on) max. () at 25 °C VGS = 10 V 0.6 - Low input capacitance (Ciss) Available Qg max. (nC) 30 - Reduced capacitive switching losses Qgs (nC) 4 - High body diode ruggedness Available Qgd (nC) 7 - Avalanche energy rated (UIS) • Optimal efficiency and operation Configuration Single - Low cost D - Simple gate drive circuitry TO-220AB - Low figure-of-merit (FOM): Ron x Qg - Fast switching