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- 2022-05-04 发布于广东
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IRGP4266PbF
IRGP4266-EPbF
Insulated Gate Bipolar Transistor
VCES = 650V
C G G
I = 90A, T =100°C
C C
tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C G CE C E
G
G
VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A
E
IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF
n-channel TO-247AC TO-247AD
Applications
Industrial Motor Drive G C E
Inverters Gate Collector Emitter
UPS
Welding
Features Benefits
High efficiency in a wide range of applications and
Low VCE(ON) and switching Losses
switchin
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