RS Components 其他智能设备晶体管 IRGP30B60KD-EP 使用说明.pdfVIP

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2022-05-04 发布于广东
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RS Components 其他智能设备晶体管 IRGP30B60KD-EP 使用说明.pdf

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IRGP30B60KD-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features C VCES = 600V • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. IC = 30A, TC=100°C • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. G • Positive V Temperature Coefficient. t 10µs, T =150°C CE (on) sc J • TO-247AD Package E • Lead-Free n-channel VCE(on) typ. = 1.95V Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Excellent Current Sharing in Parallel Operation. TO-247AD Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage 600 V I @ T = 25°C Continuous Collector Current 60 C C I @ T = 100°C Continuous Collector Current 30 C C ICM Pulsed Collector Current 120 ILM Clamped Inductive Load Current 120

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