极管三极管场效应管试题.docxVIP

半导体器件测试题 一、填空(40 分) I(mA)-5001、纯净的半导体称为 ，它的导电能力很 。在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成 P 型半导体，又称 型半导体，其中多数载流子为 ，少数载 流 子 为 。 I(mA) -50 0 2、如图，这是 材料的二极管的曲线，在正向电压超过 V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V。当反向电压增大到 V 时， 即称为 电压。其中 稳压管一般工作在 区。 V(v) 3、二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通； 给二极管加 电压，二极管截止。 4、二极管的主要参数有 、 和 。 5、晶体三极管是 控制器件。三极管按材料分为_ 和 两种类型， 而每一种又有 和 两种结构形式。 6、三极管有放大作用的外部条件是发射结 ，集电结 。工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。 7、三极管的输出特性可分三个区域，当三极管工作于 时，Ic=0；当三极 管工作于 区时，关系式 Ic=βIb才成立；当三极管工作在 区时 Vce 0 。 8、三极管的电流分配关系是 。 9、场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。 10、场效应管的转移特性曲线是指在一定的 下， 和 之间的关系。场应管的输出特性曲线划分为 、 和 三个区。 二、判断题（14 分） 1、( )将P 型半导体和N 型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN 结。 2、（ ）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。 3、（ ）硅的导通电压为，锗的导通电压为 。 4、（ ）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。 5、（ ）二极管只要加上了正向电压，就一定能导通。 6、（ ）三极管的中ICEO 的值体现了温度稳定性，越大说明三极管热稳定性越高。 7、（ ）对于三极管来说，只要发射结正偏集电结反偏就工作在放大状态。 8、（ ）三极管可以用两个二极管来替代。 9、（ ）三极管有放大作用，把基极能量放大成集电极电流输出。 10、（ ）硅三极管比锗三极管稳定。 11、（ ）场效应管是电流控制型器件。 12、（ ）结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。 13、（ ）场效应管的跨导反映了△V 对△I 的控制能力。 GS D 14、（ ）开启电压V 是耗尽型场效应管和重要参数。 T 三、选择题（26 分） 1、半导体的导电能力（ ）。 A.与导体相同 B.与绝缘体相同 C.介乎导体和绝缘体之间2、当温度升高时，半导体的导电能力将（ ）。 A.增强 B .减弱 C.不变 3、P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ ）。A.带正电 B.带负电 C.不带电 4、将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将（ ）。A.变宽 B.变窄 C.不变 5、电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D1 、D 2 、D 3 的工作状态为（）。 1 导通，D 2 、D 3 截止 1 、D 2 截止，D3导通 1 、D 3 截止，D 2 导通 1 、D 2 、D 3 均截止 ? ? 12V D 1 R ?3V D 3 D 2 +6V 6、二极管的死区电压随环境温度的升高而（ ）。A.增大 B.不变 C.减小 7、测 得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、和，则该管为（）。型锗管 型锗管 型硅管 型硅管 8、工作在放大状态的晶体管，各极的电位应满足（ ）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结、集电结均反偏 D.发射结、集电结均正偏 9、某效应管的符号如图所示，则该场效应管应为（）。沟道耗尽型 沟道增强型 沟道增强型 10、某场效应管的转移特性如图所示，则此场效应管为（）。 A.绝缘栅N沟道耗尽型B.绝缘栅P沟道耗尽型C.绝缘栅N沟道增强型 I / mA D U DS  ? 常 数 D D I DSS SG S O  UG/SV 11、在焊接场效应管时，电烙铁需要有外接地线或先断电后再快速焊接，其原因是（）。 A.防止过热烧坏 B.防止栅极感应电压过高而造成击穿 C.防止漏、源极间造成短路 12、晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的?，I ，U 的变化情况 CBO BE A.?增大，ICBO和UBE减小 B.?和ICBO增大，UBE减小C.?和UBE减小，ICBO增大 D.?，ICBO，UBE都增大 四、分析计算题（22 分） 1、如图，V 、V 为理想二极管。 分析V 、V 状态 求 V （5 分） V1 2 1 2 AB V 1 A 12V 1K 2V 6V 2 B 2、图中，V 为硅二极管。求S 分别与A、B 接通时V 的状态和V 的值（5 分） MN