太阳能电池原理.pptVIP

p区中的光生电子也会向 p-n 结边界扩散，并在到达 p-n 结边界后，同样由于受到内建电场的作用而在电场力作用下作漂移运动，进入n区，而光生空穴（多数载流子）则被留在p区。 第31页，共71页，编辑于2022年，星期日 因此在 p-n 结两侧形成了正、负电荷的积累，形成与内建电场方向相反的光生电场。这个电场除了一部分抵消内建电场以外，还使p型层带正电，n型层带负电，因此产生了光生电动势。这就是“光生伏打效应”（简称光伏）。 第32页，共71页，编辑于2022年，星期日 如果使太阳电池开路，即负载电阻， RL =∞ ，则被 p-n 结分开的全部过剩载流子就会积累在 p-n 结附近，于是产生了等于开路电压VOC的最大光生电动势。 如果把太阳电池短路，即RL = 0，则所有可以到达 p-n 结的过剩载流子都可以穿过结，并因外电路闭合而产生了最大可能的电流，即短路电流ISC。 第33页，共71页，编辑于2022年，星期日 如果把太阳电池接上负载RL，则被结分开的过剩载流子中就有一部分把能量消耗于降低 p-n 结势垒，即用于建立工作电压Vm，而剩余部分的光生载流子则用来产生光生电流Im。 第34页，共71页，编辑于2022年，星期日 第35页，共71页，编辑于2022年，星期日 第36页，共71页，编辑于2022年，星期日 第37页，共71页，编辑于2022年，星期日 太阳电池的极性 太阳电池一般制成p+/n型结构或n+/p型结构，其中第一个符号，即p+和n+表示太阳电池正面光照半导体材料的导电类型；第二个符号，即n和 p表示太阳电池背面衬底半导体材料的导电类型。 下图为在p型半导体材料上扩散磷元素，形成n+/p型结构的太阳电池。上表面为负极；下表面为正极。 第38页，共71页，编辑于2022年，星期日 三. 太阳电池的结构 第39页，共71页，编辑于2022年，星期日 四. 太阳电池基本参数 1.标准测试条件 光源辐照度：1000W/m2 ； 测试温度： 25±20C ； AM1.5地面太阳光谱辐照度分布。 第40页，共71页，编辑于2022年，星期日 太阳光谱分布 第41页，共71页，编辑于2022年，星期日 2.太阳电池等效电路 (1)理想太阳电池等效电路： 相当于一个电流为Iph的恒流电源与一只正向二极管并联。 流过二极管的正向电流称为暗电流ID. 流过负载的电流为I 负载两端的电压为V 第42页，共71页，编辑于2022年，星期日 理想的太阳电池等效电路 Iph ID V R I 第43页，共71页，编辑于2022年，星期日 (2)实际太阳电池等效电路： 由于漏电流等产生的旁路电阻Rsh 由于体电阻和电极的欧姆电阻产生的串联电阻Rs 在Rsh两端的电压为： Vj =(V+IRS) 因此流过旁路电阻Rsh的电流为： ISh= (V+IRS) / Rsh 流过负载的电流： I= Iph – ID – ISh 第44页，共71页，编辑于2022年，星期日 实际的太阳电池等效电路 Rs Iph ID Rsh Ish V R I 第45页，共71页，编辑于2022年，星期日 暗电流ID是注入电流和复合电流之和，可以简化为单指数形式： ID=Ioo{exp(qVj/A0kT)-1} 其中： Ioo为太阳电池在无光照时的饱和电 流； A0为结构因子，它反映了p-n结的 结构完整性对性能的影响； K是玻尔兹曼恒量 第46页，共71页，编辑于2022年，星期日 因此得出: 这就是光照情况下太阳电池的电流与电压的关系。画成图形，即为(I-V)特性曲线。 第47页，共71页，编辑于2022年，星期日 在理想情况下： Rsh →∞ ， Rs→0 由此得到： I= Iph – ID = Iph – Ioo{exp(qV/A0kT)-1} 在负载短路时，即Vj=0(忽略串联电阻)，便得到短路电流，其值恰好与光电流相等 Isc= Iph 第48页，共71页，编辑于2022年，星期日 因此得出： I= Iph – ID = Isc – Ioo{exp(qV/A0kT)-1} 在负载R→∞时,输出电流→0,便得到开路电压Voc