薄膜材料与薄膜技术复习 .pdfVIP

. 薄膜材料与薄膜技术 第一章 1.真空度划分： 5 2 粗真空：10-10 Pa 接近大气状态 热运动为主 2 -1 低真空：10-10 Pa -1 -6 高真空：10 -10 Pa -6 超高真空：10 Pa 2.吸附与脱附 物理吸附与化学吸附 气体吸附：固体表面捕获气体分子的现象 物理吸附：没有选择性、主要靠分子之间的吸引力、容易发生脱附、一般只在低温下发生 化学吸附：在较高温度下发生、不容易脱附，只有气体和固体表面原子接触生成化合物才能 产生吸附作用。 气体脱附：是吸附的逆过程。 3.旋片式机械真空泵 用油来保持各运动部件之间的密封，并靠机械的办法，使该密封空间的容积周期性地增大， 即抽气；缩小，即排气，从而达到连续抽气和排气的目的。 4.分子泵 牵引泵：结构简单、转速小、压缩比大（效率低） 涡轮式分子泵：抽气能力高、压缩比小（效率高） 5.低温泵 深冷板装在第二级冷头上，温度为10-20k，板正面光滑的金属表面可以去除氮、氧等气体， 反面的活性炭可以吸附氢、氦、氖等气体。通过两极冷头的作用，可以达到去除各种气体的 目的，从而获得超高真空状态。 6.真空的测量 5 -2 电阻真空计：压强越低，电阻越高 （p↓→R↑） 测量范围10 10 Pa 2 -1 热偶真空计：压强越低，电动势越高（p↓→Ɛ↑） 测量范围10 10 Pa 电离真空计：三种（BA型、热阴极、冷阴极） A：灯丝 （发射极）F：栅极（加速极） G：收集极 第二章 1.薄膜制备的化学方法 以发生一定化学反应为前提，由热效应引起或由离子的电致分离引起。（热激活、离子激活） 2.热氧化生长 在充气条件下，通过加热基片的方式可以获得大量的氧化物、氮化物和碳化物薄膜。 3.化学气相沉积 优缺点： 优点（记住四条）： ①成核密度高，均匀平滑的薄膜。 . . ②绕射性好，对于形状复杂的表面或工件的深孔、细孔等都能均匀覆膜。 ③不需要昂贵的真空设备。 ④残余应力小，附着力好，且膜致密，结晶良好。 ⑤可在大尺寸基片或多基片上进行。可一制备金属和非金属薄膜，成膜速率快，面积大。 缺点： ①反应温度太高，而许多基材难以承受这样的高温②反应气体可能与设备发生化学反应。 三个过程：反应物输运、化学反应、去除附产物 分类：常压式、低压式（NPCVD、LPCVD） 热壁（500℃）、冷壁（LTCVD） 发生的典型化学反应（记住四条）：分解反应、还原反应、氧化反应、氮化反应、碳化反应 按照不同激活方式分类： ①激光化学气相沉积（LCVD） 定义：利用激光源产生出来的激光束实现化学气相沉积的一种方法（激光加热非常局域化） ②光化学气相沉积（PCVD） 定义：高能光子有选择性地激发表面吸附分子或气体分子而导致键断裂、产生自由化学粒子 形成膜或在相邻的基片上形成化学物 ③等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 定义：在等离子体中电子平均能量足以使大多数气体电离或分解 优点：比传统的化学气相沉积低得多的温度下获得单质或化合物薄膜材料 缺点：由于等离子体轰击，使沉积膜表面产生缺陷，反应复杂，也使薄膜的质量有所下降。 应用：用于沉积各种材料，包括SiO 、Si N ，非晶Si：H、多晶Si、SiC等介电和半导体膜。 2 3 4 分类：射频（R-PECED）、高压电源（PECVD）、微波（m-PECVD）、回旋电子加速微波 （mECR-PECVD） 辨析PCVD 、LCVD 、PECVD？ 4.电镀 定义：电流通过导电液中的流动而产生化学反应最终在阴极上（电解）沉积某一物质的过程。 5.化学镀 定义：不加任何电场、直接通过化学反应而实现薄膜沉积的方法 6.阳极沉积反应 定义：不需采用外部电流源，在待镀金属盐类的溶液中，靠化学置换的方法在基体上沉