模拟电子技术基础：第9讲 场效应管及其放大电路(2011.3).pptVIP

第九讲 场效应管及其放大电路 一、场效应管 一、场效应管（以N沟道为例） 1.栅-源电压(uGS)对导电沟道宽度的控制作用(uDS=0) 2.漏-源电压(uDS)对漏极电流(iD)的影响 输出特性 转移特性 2. 绝缘栅型场效应管 2. 绝缘栅型场效应管 增强型MOS管uDS对iD的影响 耗尽型MOS管 MOS管的特性 3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 4. 场效应管的主要参数 （1）开启电压UT （2）夹断电压UP （3）跨导gm ：gm=?iD/?uGS? uDS=const （4）直流输入电阻RGS ——栅源间的等效电阻。由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，输入电阻可达109～1015。 5. 场效应管与晶体管的比较 晶体管的噪声来源有三种： ⑴热噪声：由于载流子不规则的热运动，通过半导体管内的体电阻时而产生； ⑵散粒噪声：通常所说的三极管中的电流只是一个平均值，实际上通过发射结注入基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因而引起发射极电流或集电极电流有一无规则的流动，产生散粒噪声； ⑶颤动噪声：晶体管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚，但被设想为载流子在晶体表面的产生和复合所引起，因此与半导体材料本身及工艺水平有关。而场效应管的噪声只产生于载流子的运动，所以场效应管的噪声比晶体管要小。 二、场效应管静态工作点的设置方法