材料研究分析方法研究生XRD.pptVIP

图17给出了一个分子束外延生长在GaAs(011) 衬底上的Al0.32Ga0.68As薄膜的高分辨（004）衍射谱。由于薄膜与衬底之间的晶格失配仅约为0.05％，薄膜的完美性很高。实验采用Philips X′Pert 衍射仪，X射线波长?＝1.5404A。 从图17可以看到，除衬底峰和薄膜峰外，还可以看到清楚的干涉峰，如箭头所示，薄膜的名义厚度为2000A。测量得到的干涉峰间距为? ?=100.1″=4.85?10-4rad。由式（4），采用GaAs(004)的布拉格角?B＝34.56?，得到的薄膜实际厚度为1928.5A。 第三十页，共七十四页。 图18 InAs/Ga超晶格的X射线（002）双晶衍射谱线 第三十一页，共七十四页。 图18给出了一个分子束外延生长在GaSb(001)衬底上，140周期的InAs/GaSb超晶格的X射线（002）双轴晶衍射谱线。InAs和GaSb的设计厚度分别为78.7A和79.2A。两者之间的晶格失配仅约为0.6％。衍射仪所用单色器为Ge(220)，转靶X射线光源，X射线波长?＝1.5405A。由于扫描范围较大，采用?/2?扫描。 从图18可看到，除衬底峰之外，还观测到了一组10个左右的超晶格卫星峰，其平均峰间距为??(s)=0.287?。所以，由式（8），确定其平均周期厚度为159.0A，与设计值158.0A非常接近。 第三十二页，共七十四页