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6.3 p-n结电容
1、p-n结电容的来源
势垒电容
p-n结上外加电压的变化 ，引起电子和空
穴在势垒区的 “存入”和‘取出 “作用
，导致势垒区的空间电荷数量随外加电
压变化而变化 ，和一个电容器的充放电
作用相似。称为pn结的势垒电容。
正向偏压 ，存入
反向偏压 ，取出
扩散电容
pn结扩散区的电荷数量随外加电压变
化而产生的电容效应。
正向偏压时 ，随电压增大，p(n)区扩散区
内的非平衡电子 （空穴）和与其保持电中
性的空穴 （电子）也增加
2. 突变结的势垒电容
（1）、突变结势垒区中的电场、电势分布
ρ(x) = -qNA
(-x x0)
p
ρ(x) = qND
(0xx )
n
X
D
电中性条件要求 ： =X +X
n p
qN x = qN x =Q
A p D n
2 2
泊松方程 ： dV/dx = -ρρ/εεεε
ρρ εεεε0
将上式积分一次 ，得：
考虑边界条件 ： 因为势垒区外是电中性
的，电场集中在势垒区
确定 C =C =qN x /εε =qN x / εε
1 2 A p 0 D n 0
势垒区的电场为 ：
可见 ，在x=0处，电场达到最大：
N N x x
A D n p
N N x x
D A p p
再次积分 ，得到到势垒区中各点的电势为：
考虑边界条件 ：V(-x)=0 V(x )=V
p n D
得到 ：
以上就是势垒区
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