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第七章
金属和半导体的接触
7.1 金属和半导体接触及其能级图
1、金属和半导体功函数
2、接触电势差
3、表面对接触势垒的影响
7.2 金属半导体接触整流理论
1、扩散理论*
2、热电发射理论
3、镜像力和隧道效应的影响
4、肖特基势垒二极管
7.3 少数载流子的注入和欧姆接触
1、少数载流子注入
2、欧姆接触
7.1 金属和半导体接触及其能级图
1、金属和半导体的功函数
概念 ：
电子受原子核束缚 ，要成为自由电子，
必须克服正电荷引力。
离化能 ：当电子从原子或分子热运动中吸取能量 ，
脱离束缚所需能量 ；
功函数 ：电子从液体或固体中逸出所需能量 ；
真空能级Eo
电子能级
金属中电子 ：
1、绝对零度时 ，排列在E 之下 ；
F
2、T，则有一小部分电子由E 之下到E 之上 ；
F F
3、功函数 ，是E能级附近电子到真空中去所需能量 ；
F
4、功函数的大小标志着电子在金属中束缚的强弱 ；
金属功函数的定义是E 与E 能
o F
量之差 ：
W = W = E - (E )
m 金 o Fm
= qφφ
金属中的电子势阱 φφm
真空中清洁表面的金属功函数与原子序数的关系
-- 功函数最低的是Cs(1.93eV) ，最高的是Pt(5.36eV)
-- 随着原子序数的递增 ，功函数呈现周期性变化
半导体的功函数
功函数:费米能级和真空能
级之差; W = E - (E ) = qφ
m o Fm m
电子亲和势:半导体导带端 W = E - (E ) = qφ
s o Fs s
与真空能级之差;
W = qχ + (E -E )
n c Fn
= qχ + q φn
W = qχ + E -(E -E )
p
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