《电磁场》课件—第八章-准静态场2(电路近似与趋肤效应).pdfVIP

§8.3 集总参数电路近似 School of Electrical Electronic Engineering HUST 叶齐政2020.5 §8.3 集总参数电路近似 1．近似条件——准静态场近似 当电源频率比较低或波长很长，而电路尺寸又比较小时， 电路中电磁场的波动性表现得不是很突出，每一时刻每一地方 的电磁场和该时刻电荷、电流分布相对应的恒定场相同，即没 有推迟效应（光速相当于无限）。 §8.3 集总参数电路近似 2 ．器件近似——元件（准静态近似） i x d C d U h - z + b y U t 2U sin ωt + π / 2) ( ) 0 ( i L d 准静态场，然后不同的电磁结构，场 i t 2I sin ωt + π/ 2 ( ) 0 ( ) 近似解不一样 §8.3 集总参数电路近似   在电容器件内认为是电准静态场： ∇ ⋅ D ρ   ∇ × E ≈ 0    ∂B ∂D   0 ≠ 0 ∇×  =+ ∂D  H J ∂ t ∂ t  ∂ t   ∇ ⋅ B 0  在电感器件内认为是磁准静态场：   ∇ ⋅ D ρ