数字电子技术数电第三章.pptxVIP

第三章 门电路;1、了解正负逻辑的基本概念 2、了解TTL、CMOS非门的电路结构及工作原理 3、重点掌握各种门电路的逻辑功能及其电器特性（输入输出特性）;3.1 概述;一、逻辑电平;正逻辑的与运算对应负逻辑的或运算;理想情况：一个电平表示高电压， 另一个电平表示低电压。 实际电路中：高低电平可以是指定的最小值和最大值之间 的任意值。;实际开关为晶体二极管、三极管及场效应管等电子器件;S1闭合S2断开VO=VOH S1断开S2闭合VO=VOL;分立元件：功耗大，可靠性差 集???门：体积小，功耗低;3.2半导体二极管门电路;二极管的开关等效电路：;二极管的动态电流波形：;3.2.2 二极管与门 ;3.2.3 二极管或门;二极管构成的门电路的缺点;3.3 CMOS门电路3.3.1 MOS管的开关特性;以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） ;二、输入特性和输出特性;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;漏极特性曲线（分三个区域）;三、MOS管的基本开关电路;四、等效电路;五、MOS管的四种类型;3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理;TN、TP参数对称：;Y=A’;无论V1是高电平还是低电平，T1T2总是工作在一个导通而另一个截止状态，即所谓互补状态。 CMOS：互补对称式金属氧化物半导体电路 ;二、电压、电流传输特性;三、输入噪声容限;结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限;3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性;二、输出特性;二、输出特性;3.3.4 CMOS反相器的动态特性;二、交流噪声容限;三、动态功耗;3.3.5 其他类型的CMOS门电路;带缓冲极的CMOS门;带缓冲极的CMOS门;CMOS门不足：;二、漏极开路的门电路（OD门）;三、 CMOS传输门及双向模拟开关;2. 双向模拟开关;四、三态输出门;三态门的用途;3.3.6 CMOS电路的正确使用;3.3.7 CMOS集成电路的各种系列;3.5.1 双极型三极管的基本开关电路;一、工作状态分析：;二、三极管的开关等效电路;三、动态开关特性;3.5.2 TTL反相器的电路结构和工作原理;若A为低电平，VB1=0.9V1.4V，T1饱和导通。T2、T5截止，VC2高电平，使T4、D2通，VO=3.6V，为高电平。 若A为高电平， VB1=4.1V2.1V，T1倒置放大，T2、T5饱和，VC2≈0.8V，不足以使T4、D2同时通，故VO=0.2V，为低电平。;T1饱和，T2T5截止，T4导通放大区;需要说明的几个问题：;二、电压传输特性;二、电压传输特性;二、电压传输特性;三、输入噪声容限;3.5.3 TTL反相器的静态输入特性和输出特性;1、高电平输出特性;2、低电平输出特性;例：扇出系数（Fan-out）， 试计算门G1能驱动多少个同样的门电路负载。;三、输入端负载特性;3.5.4 TTL反相器的动态特性;二、交流噪声容限;三、电源的动态尖峰电流;3.5.5其他类型的TTL门电路;2. 或非门;二、集电极开路的门电路;2、OC门的结构特点;OC门实现的线与;3、外接负载电阻RL的计算;3、外接负载电阻RL的计算;3、外接负载电阻RL的计算;三、三态输出门（Three state Output Gate ,TS）;三态门的用途;一、高速系列74H/54H （High-Speed TTL） 1、电路的改进 (1)输出级采用复合管（减小输出电阻Ro） (2)减少各电阻值 2. 性能特点 速度提高 的同时功耗也增加 ;二、肖特基系列74S/54S（Schottky TTL）;三、低功耗肖特基系列 74LS/54LS （Low-Power Schottky TTL） 四、74AS,74ALS （Advanced Low-Power Schottky TTL） 3.6 其他类型的双极型数字集成电路* DTL：输入为二极管门电路，速度低，已经不用 HTL：电源电压高，Vth高，抗干扰性好，已被CMOS替代 ECL：非饱和逻辑，速度快，用于高速系统 I2L：属饱和逻辑，电路简单，用于LSI内部电路;作业：1、3、8、14、15、29