X射线光电子能谱.pptVIP

X-ray Photoelectron Spectrometer 第六十页，共六十六页。 Analysis of Materials for Solar Energy Collection by XPS Depth Profiling- The amorphous-SiC/SnO2 Interface The pro a reduction of the SnO2 occurred at the interface during deposition. Such a reduction would effect the collector’s efficiency. Photo-voltaic Collector Conductive Oxide- SnO2 p-type a-SiC a-Si Solar Energy SnO2 Sn Depth 500 496 492 488 484 480 Binding Energy, eV Data courtesy A. Nurrudin and J. Abelson, University of Illinois 第六十一页，共六十六页。 第六十二页，共六十六页。 Small area analysis and imaging 第六十三页，共六十六页。 Small area analysis and imaging 第六十四页，共六十六页。 Small area analysis and imaging 第六十五页，共六十六页。 内容总结 X射线光电子能谱(XPS)。俄歇电子能量并不依赖于激发源的能量和类型。氧化作用使内层电子结合能上升氧化中失电子愈多上升幅度愈大。还原作用使内层电子结合能下降还原中得电子愈多下降幅度愈大。它们在XPS谱图上表现为除正常光电子主峰外还会出现若干伴峰使得谱图变得复杂。弛豫能越大相应引起的卫星伴峰也就应更强更多。那么光致电离所形成的内壳层空位，便将同价轨道未配对自旋电子发生耦合，使体系出现不只一个终态。化学位移与原子上的总电荷有关（电荷减少→结合能Eb增加）。目的：给出表面元素组成鉴别某特定元素的存在性。在作XPS分析时，全谱能量扫描范围一般取0～1200eV，因为几乎所有元素的最强峰都在这一范围之内。480 第六十六页，共六十六页。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 如稀土金属(4f轨道上有未成对电子存在)的4s能级表现有强的分裂。 过渡金属3d轨道上有未成对电子存在的3s能级表现有强的分裂。 因此利用s能级的多重分裂现象可以研究分子中未成对电子的存在情况。 (2). 多重分裂(静电分裂) 第二十八页，共六十六页。 (2). 多重分裂(静电分裂) 第二十九页，共六十六页。 (3). 多电子激发 如果价壳层电子跃迁到更高能级的束缚态，则称之为电子的震激(Shake up)。 如果价壳层电子跃迁到非束缚的连续状态成了自由电子，则称此过程为电子的震离(Shake off)。 震激和震离的特点是它们均属单极激发和电离电子激发过程只有主量子数改变，跃迁发生只可能是ns→n′s np→n′p，电子的角量子数和自旋量子数均不变因此有ΔJ = ΔL = ΔS = 0。 第三十页，共六十六页。 3p 3s 2p 3p 3s h? h? 正常光电离 震离 3d h? h? 正常光电离 震激 3d 2p (3). 多电子激发 震离和震激示意图 震激还是震离均消耗能量这将使最初形成的光电子动能下降。对震激谱的研究可获得原子或分子内弛豫信息，同时震激谱的结构还受到原子化学环境的影响，它的表现对研究分子结构是很有价值的。 第三十一页，共六十六页。 Cu (II) Shake-up Peaks A feature for the identification of Cu (II) 第三十二页，共六十六页。 Final State Effects- Shake-up/ Shake-off Ni Metal Ni Oxide 第三十三页，共六十六页。 Eb ?hv - Ek- ? 结合能Eb的参考基准 对孤立原子或分子，Eb就是把电子从所在轨道到真空需的能量，是以真空能级为能量零点的。 对固体样品，必须考虑晶体势场和表面势场对光电子的束缚作用，通常选取费米(Fermi)能级为Eb的参考点。 第三十四页，共六十六页。 Binding Energy Referencing Eb= hv - EK - Фspec- Ech Where: Eb= Electron Binding Energy EK = Electron Kinetic Energy Ф spec= Spectrometer Work Functi