CMOS反相器工作原理.pptVIP

3.5　CMOS电路 3.5.1　CMOS反相器工作原理 3.5.2　CMOS反相器的主要特性 3.5.3　CMOS传输门 3.5.4　CMOS逻辑门电路 3.5.5　CMOS电路的锁定效应及　　　 正确使用方法 CMOS反相器工作原理全文共21页，当前为第1页。 图3-5-1 CMOS反相器 D G S S G D vO VDD TL T0 vI 3.5.1　CMOS反相器工作原理 　　CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。 　　两个MOS管的开启电压VGS(th)P0， VGS(th)N 0，通常为了保证正常工作，要求VDD|VGS(th)P|+VGS(th)N。 　　若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。 　　若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。 CMOS反相器工作原理全文共21页，当前为第2页。 图3-5-2 CMOS反相器电压传输特性 vI vO O VDD VDD VDD+VGS(th)P VGS(th)N Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ 3.5.2　CMOS反相器的主要特性 　　１．电压传输特性和电流传输特性 　　CMOS反相器的电压传输特性曲线可分为五个工作区。 　　工作区Ⅰ：由于输入管截止，故vO=VDD，处于稳定关