PN结的小信号导纳.pptxVIP

第七章 pn结二极管：小信号导纳;;势垒电容C j：形成空间电荷区的电荷随外加电压变化 扩散电容Cd：p-n结两边扩散区中，当加正向偏压时， 有少子的注入，并积累电荷，它也随外 电压而变化.扩散区的电荷数量随外加电 压的变化所产生的电容效应。;pn结二极管的小信号等效电路;小信号导纳;7.2 反向偏置结电压;1反向偏置的电容;;W随反向偏压增大而增加，Cj随W的增加而减小，所以二极管的反向偏置结电容随反向电压的增加而减小。与实验结果一致。;单边突变结 pn+:NDNA=NB 或p+n:NAND=NB, 则;势垒电容（1）与低浓度一边的掺杂浓度成正比 （2）与（Vbi-V）1/2成反比。可制作变容器 件，利用外加电压的改变而调节势垒电容 主要用于电子调频、调谐器。;2、C-V关系;单边线性缓变结;;令VA=0时的电容为;3反向偏置电导;正偏势垒电容CJ：正向偏置时，多数载流子进入和离开稳态耗尽层引起的结电容和反向偏置时一样。扩散电容CD ：二极管正偏时在耗尽区边界的准中性区内引起少数载流子的积累。随着正向偏压的增加，少子的积累越来越明显。在