- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
功率MOSFET基础知识详解
目录
●?击穿电压
●?导通电阻
●?跨导
●?阈值电压
●?二极管正向电压
●?功率耗散
●?动态特性
●?栅极电荷
●?dv/dt 能力
尽管分立式功率MOSFET的几何结构,电压和电流电平与超大规模集成电路(VLSI)设备采用的设计方式有极大的不同,它仍然采用了与VLSI电路类似的半导体加工工艺。金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)从70年代的初级场效应晶体管发展而来。图1描述了MOSFET的器件原理图,传输特性和器件符号。双极结型晶体管(BJT)自身的局限性驱动了功率MOSFET的发明,直到最近几十年,BJT才成为功率电子应用的可选器件。
图1.MOSFET器件(a)原理图,(b)传输特性,和(c)器件符号
虽然无法精确地界定功率器件的工作范围,但是我们大致将功率器件称之为任何可在大于等于1A电流切换的器件。双极功率晶体管是一个电流控制的器件。使用BJT时,需要大量的基极驱动电流(相当于1/5的集电极电流)保持器件处于导通状态。
不仅如此,还需要更高的反向基极驱动电流以便快速关断。虽然BJT具有非常先进的生产工艺和较低的成本,但是这两点局限性仍然使它的基极驱动电路设计比功率MOSFET更加复杂更加昂贵。
BJT的另外一个局限性在于它的电子和空穴都产生传导。具有更长载流子寿命空穴的出现使得BJT的开关速度比相同尺寸和相同额定电压的功率MOSFET慢几倍。此外,热失控也是BJT的短板。由于它的正向压降随着温度的上升而下降,因此在多个器件并联时,会导致电流流向一个器件。而功率MOSFET是无少数载流子注入的多数载流子元件。在高频应用中,对开关功率耗散要求严格时,它比双极结型晶体管(BJT)更具优势。此外,它还能同时承受高电流和高电压的应用,不会因为二次击穿遭受破坏性的损坏。由于功率MOSFET的正向压降随着温度的上升而上升,可以确保电流均匀的分配到所有的器件,因此功率MOSFET可并联。
然而,当击穿电压高时(200V),功率MOSFET的通态压降比相同尺寸和相同额定电压的双极器件更高。这个时候,使用双极功率晶体管就更具优势,即便它的高频性能较差。图2中标明了功率MOSFET和双极结型晶体管BJT各自的电压限值和电流限值。随着时间的推移,新材料,结构和工艺技术的出现可以扩大限值范围。
图2.MOSFET和BJT电压限值和电流限值
图3是n沟道功率MOSFET的原理图,图4显示了n沟道功率MOSFET里寄生元件。当两个相邻体二极管的耗尽区宽扩大到漂移区,且漏电压上升时,在两个体二极管之间形成寄生结型场效应晶体管JFET限制电流。寄生型BJT使得器件容易被意外开启并过早损坏。仔细设计源极区下的掺杂和间距,确保基极电阻RB的值最小。如图3所示,有多个与功率MOSFET相关的寄生电容。
?
图3.n沟道功率MOSFET原理图
图4.n沟道功率MOSFET寄生元件
CGS是源极和沟道区与多晶硅栅极重叠而产生的电容,它与施加的电压无关。CGD?包含了两部分,第一部分是多晶硅栅极和JFET区域底部的硅片重叠产生的电容。第二部分是直接位于栅极下方的耗尽区产生的电容。CGD?与电压呈非线性函数关系。与体二极管(body-drift diode)有关的电容CDS?,与漏源偏压的平方根成倒数关系。当前共有2种不同的功率MOSFET设计,平面设计和沟槽设计。图3采用了平面设计。图5显示了2种不同的沟槽功率MOSFET设计。相比平面设计的MOSFET,沟槽工艺设计的器件单元密度更高,但是却更难生产。
图5.2种不同沟槽功率MOSFET设计
击穿电压
击穿电压BVDSS?是反向偏压的体二极管(body-drift ?diode)被击穿,且雪崩倍增引发大量的电流在源极和漏极之间流动时的电压,此时栅极和源极之间短路。图6显示了功率MOSFET的电流和电压特征。一般漏电流在250μA时测量BVDSS。当漏极电压低于BVDSS且栅极上没有偏压时,在栅极板下表层不形成沟道,且漏极电压全部由反向偏压的体漂移p-n结承受。器件设计不良或处理不好会出现两种现象:晶体管穿通现象(Punch-through)和击穿现象(Reach-through)。当体漂移p-n结源极一侧的耗尽区在漏极电压低于器件的额定雪崩电压期间扩散到源极区时,发生晶体管穿通现象。晶体管穿通现象(Punch-through)在源极和漏极之间形成了一道电流通路,并产生了软击穿。有关软击穿的特性,请见图7。IDSS?表示源极和漏极之间的漏电流。RDS(on)?需要更短的沟道,而为了避免晶体管穿通则需要更长的沟道,应权衡这两者的优劣,并做出选择。
?
图6.功率MOSFET电流和电压特征
图7. 功率MOSFET击穿特性
当体漂移p-n结漂移一侧的耗尽区在外延层内
您可能关注的文档
最近下载
- baltur燃烧器TBG210P17690030中文使用维护手册.pdf VIP
- 审核员现场见证评价表参考实用文档.doc VIP
- 2023年军队文职人员招聘之军队文职公共科目押题练习试卷A卷附答案.docx VIP
- ai心理健康创业计划书.docx VIP
- 国开作业管理学基础-管理实训:第二章 查阅文献资料并写出评论参考(含答案)025.docx VIP
- 医学综合试题库及答案.docx VIP
- 通用工器具安全管理规范.docx VIP
- 2025届高考作文技巧之列提纲优化结构课件(共46张PPT).pptx VIP
- 光学装配与调校技术课件.pptx VIP
- 医学综合知识试题库+答案.pdf VIP
文档评论(0)