5.3-导体、绝缘体和半导体的能带论解释.pptVIP

05_03_晶体中电子在电场和磁场中的运动——导体、绝缘体和半导体的能带论解释 §5.3 导体、绝缘体和半导体的能带论解释 导体的电阻率 半导体的电阻率 绝缘体的电阻率 —— 所有固体都包含大量的电子，但电子的导电性却相差 非常大 01/14 1. 满带中的电子对导电的贡献 电子能量是波矢的偶函数 —— 状态和 状态中电子的速度大小相等、方向相反 波矢为 的电子的速度 波矢为 的电子的速度 02/14 1) 在无外场时 每个电子产生的电流 —— 对电流的贡献相互抵消 热平衡状态下，电子占据波矢为 的状态和占据波矢 为 的状态的几率相等 —— 晶体中的满带在无 外场时，不产生电流 —— 状态和 状态中电子的速度大小相等、方向相反 03/14 2) 在有外场 作用时 电子受到的作用力 电子动量的变化 —— 所有电子状态以相同的速 度沿着电场的反方向运动 —— 满带的情形中，电子的运动不改变布里渊区中电子的 分布, 满带中的电子不产生宏观的电流 04/14 2. 未充满带中的电子对导电的贡献 1) 无外场存在时 —— 虽然只有部分状态被电子填充，但波矢为 的状态和波矢为 的状态中电子的速度大小相等、方向相反，对电流的贡献相互抵消 —— 热平衡状态下，电子占据两个状态的几率相等 —— 晶体中的未充满带的电子在无外场作用时，不产生电流 05/14 2) 在有外场作用时 —— 未充满带中只有部分状态被电子填充，外场的作用会 使布里渊区的电子分布发生变化 —— 所有的电子状态以相同的速度沿着电场的反方向运动， 但由于能带是不满带，逆电场方向上运动的电子较多 —— 在外场作用下，未满带中的电子产生宏观电流 06/14 导体、半导体、绝缘体模型 07/14 绝缘体 —— 原子中的电子是满壳层分布的，价电子刚好填满了许可的能带，形成满带，导带和价带之间存在一个很宽的禁带，在一般情况下，价带之上的能带没有电子 导体 —— 在一系列能带中除了电子填充满的能带以外，还有被电子部分填充的能带 — 导带，后者起着导电作用 —— N个原胞构成的晶体，每一条能带能容纳的电子数为2N —— 为原胞数目的二倍 —— 在电场的作用下没有电流产生 09/15 原胞中只有一个价电子的固体 Li(3)、Na(11)、K(19)、Cu(29)、Ag(47) 它们存在半填充能带 —— 导体 原胞中含有偶数个价电子，可以填满一个能带 —— 绝缘体 二价金属：Be(4)、Mg(12)、Zn(30)，原胞中有2个价电子 —— 绝缘体 ？？？ —— 它们却是导体 —— 能带存在交迭 10/15 半导体(Si：14、Ge：32)：禁带宽度较窄，约~2 eV以下 —— 依靠热激发即可以将满带中的电子激发到导带中，因而 具有导电能力 —— 热激发到导带中的电子数目随温度按指数规律变化，半 导体的电导率随温度的升高按指数形式增大 半金属 V族元素Bi、Sb、As: 三角晶格结构，每个原胞包含两个原子，因此原胞有偶数个电子。 —— 金属的导电性，能带的交叠（导带底和价带顶或发生交 叠或能量相同） —— 导电能力远小于金属，能带交叠较小，对导电有贡献的 载流子数远远小于普通的金属 10/14 3. 近满带和空穴 近满带 —— 满带中的少数电子受热或光激发从满带跃迁到 空带中去，使原来的满带变为近满带 1）设想近满带中只有一个 态没有电子 在电场的作用下，近满带产生的电流为近满带中所有电子对电流的贡献，总电流 如果在空的 中放入一个电子，近满带变为满带，总的电流为零 空穴 —— 用于方便描述近满带的导电性而引入的概念 11/14 近满带的总电流相当于在空状态 中放置一个带正电q的粒子，并以电子的速度 运动所引起的宏观电流 2)在电磁场作用下，满带不产生电流 两边对时间微分得到 作用于（空状态中的）电子的洛伦兹力 电子加速度 12/14 —— 正电荷q在电磁场中受到的力 —— 外电磁场中，近满带电流的变化等同于一个带正电q， 具有正质量?m*?的粒子 13/14 05_03_晶体中电子在电场和磁场中的运动——导体、绝缘体和半导体的能带论解释